Technologia pola półprzewodnikowego z tlenkiem metalu (MOSFET) z węglika krzemu (SiC) stanowi znaczący postęp w energoelektronice, pomagając w projektowaniu bardziej wydajnych, kompaktowych i niezawodnych systemów. Tranzystory MOSFET SiC zastępują tradycyjne urządzenia krzemowe, umożliwiając niższe straty przełączania i przewodzenia przy wyższych częstotliwościach przełączania. Zalety te pomagają zmniejszyć rozmiar i liczbę komponentów oraz zmniejszyć ogólny rozmiar, wagę i koszt systemu. Tranzystory MOSFET SiC zapewniają wydajne, elastyczne i niezawodne zastosowania wysokonapięciowe.
Fot. Microchip Technology Inc.
Tranzystory MOSFET SiC umożliwiają pracę w wyższych temperaturach, szybsze przełączanie i wyższe napięcie przebicia, co pozwala na tworzenie bardziej wydajnych i bardziej kompaktowych systemów energoelektroniki. Tranzystory MOSFET SiC mają również znacznie niższą rezystancję włączenia, co skutkuje mniejszymi stratami mocy podczas pracy. Dzięki zwiększonej wytrzymałości i odporności na niestabilność cieplną SiC lepiej nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy. Tranzystory MOSFET mSiC™ obejmują tranzystory MOSFET SiC 700V, 1200V, 1700V i 3300V (3,3 kV).
Charakterystyka | Wynik | Korzyści |
Pole podziału (MV/cm) | Niższy opór włączenia | Wyższa sprawność |
Prędkość nasycenia elektronów (cm/s) | Szybsze przełączanie | Redukcja rozmiaru |
Energia pasma wzbronionego (EV) | Wyższa temperatura złącza | Ulepszone chłodzenie |
Przewodność cieplna (W/m.K) | Większa gęstość mocy | Wyższe możliwości prądowe |
Dodatni współczynnik temperaturowy | Samoregulacja | Proste zrównoleglenie |
Gamma Sp. z o.o. jest autoryzowanym dystrybutorem rozwiązań firmy Microchip Technology w Polsce. Zapraszamy do kontaktu z naszym działem handlowym.
W ofercie przekaźników HVDC firmy Hongfa znajdują się zaawansowane modele przeznaczone do zastosowań w pojazdach...
Firma Arch Electronics zaprezentowała najnowszy 20W ultra kompaktowy moduł zasilania ARCF20 do montażu na płytce...
Firma Microchip Technology ogłosiła wprowadzenie rodziny tranzystorów MOSFET mocy wzmocnionych na promieniowanie...
Firma Coto Technology zaprezentowała czujnik magnetyczny RedRock® RR133-1E83-511 oparty na technologii TMR...
ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc. to15,6-calowy samoobsługowy kiosk zaprojektowany, aby zrewolucjonizować...
Ultraszybkie diody Qspeed serii H firmy Power Integrations są teraz dostępne z wartościami znamionowymi 650V do 30A.