Technologia MOSFET mSiC™: doskonała wydajność i wytrzymałość dla nowoczesnych systemów zasilania

Wybór najlepszego rozwiązania: zalety tranzystorów MOSFET z węglika krzemu w porównaniu do IGBT

Technologia pola półprzewodnikowego z tlenkiem metalu (MOSFET) z węglika krzemu (SiC) stanowi znaczący postęp w energoelektronice, pomagając w projektowaniu bardziej wydajnych, kompaktowych i niezawodnych systemów. Tranzystory MOSFET SiC zastępują tradycyjne urządzenia krzemowe, umożliwiając niższe straty przełączania i przewodzenia przy wyższych częstotliwościach przełączania. Zalety te pomagają zmniejszyć rozmiar i liczbę komponentów oraz zmniejszyć ogólny rozmiar, wagę i koszt systemu. Tranzystory MOSFET SiC zapewniają wydajne, elastyczne i niezawodne zastosowania wysokonapięciowe.

Fot. Microchip Technology Inc.

Tranzystory MOSFET SiC umożliwiają pracę w wyższych temperaturach, szybsze przełączanie i wyższe napięcie przebicia, co pozwala na tworzenie bardziej wydajnych i bardziej kompaktowych systemów energoelektroniki. Tranzystory MOSFET SiC mają również znacznie niższą rezystancję włączenia, co skutkuje mniejszymi stratami mocy podczas pracy. Dzięki zwiększonej wytrzymałości i odporności na niestabilność cieplną SiC lepiej nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy. Tranzystory MOSFET mSiC™ obejmują tranzystory MOSFET SiC 700V, 1200V, 1700V i 3300V (3,3 kV).

Podsumowując, SiC ma następujące zalety w porównaniu z krzemem:

• Wyższa temperatura robocza
• Wyższe napięcie przebicia
• Niższy opór włączenia
• Większe prędkości przełączania
• Większa wytrzymałość

Gamma Sp. z o.o. jest autoryzowanym dystrybutorem rozwiązań firmy Microchip Technology w Polsce. Zapraszamy do kontaktu z naszym działem handlowym.