600V tranzystory MOSFET Super Junction firmy ROHM o wiodącej w klasie niskiej rezystancji ON oraz najszybszym odzyskiwaniu wstecznym Trr

Nowe 600V tranzystory MOSFET firmy ROHM zapewniają wiodącą w swojej klasie niską rezystancję (ON) oraz najszybszy w branży czas odzyskiwania wstecznego (Trr) dla znacznego zmniejszenia zużycia energii w sprzęcie AGD i sprzęcie przemysłowym.

Firma ROHM dodała siedem nowych urządzeń, serii R60xxVNx, do swojej linii tranzystorów PrestoMOSTM 600V MOSFET’ów Super Junction, które wyróżniają się wiodącą w swojej klasie niską rezystancją ON i najkrótszym w branży czasem odzyskiwania wstecznego (RRT). Seria R60xxVNx jest zoptymalizowana pod kątem obwodów zasilających w urządzeniach przemysłowych wymagających dużej mocy, takich jak serwery, stacje ładowania pojazdów elektrycznych i stacje bazowe, a także napędy silnikowe w sprzęcie AGD, które coraz częściej wykorzystują falowniki, aby sprostać trendowi w kierunku większych oszczędności energii.

W ostatnich latach, wraz ze wzrostem zużycia energii na całym świecie i potrzebą bardziej efektywnego jej wykorzystania, urządzenia przemysłowe, takie jak serwery, stacje bazowe/elektryczne, klimatyzatory i inne urządzenia gospodarstwa domowego, stały się bardziej energooszczędne, wymagając wobec półprzewodników mocy dalszego zmniejszenia strat mocy. W odpowiedzi na to wyzwanie firma ROHM rozszerzyła swoją istniejącą linię PrestoMOSTM o nowe urządzenia, które przyczyniają się do jeszcze niższego zużycia energii przez aplikacje, oferując niższą odporność ON niż standardowe produkty.

Nowa seria R60xxVNx wykorzystuje najnowsze zastrzeżone procesy, aby osiągnąć najkrótszy w branży czas odzyskiwania, przy jednoczesnym zmniejszeniu odporności na włączanie (która jest wynikiem kompromisu) nawet o 20% w porównaniu z równoważnymi produktami.

Jeśli chodzi o czas odzyskiwania wstecznego (Trr), nowe tranzystory Super Junction MOSFET dziedziczą przełomowe 105 ns już zapewnione przez istniejące produkty ROHM rodziny PrestoMOSTM, co umożliwia zmniejszenie strat przełączania o około 17% w porównaniu z innymi rozwiązaniami. Dzięki tym dwóm cechom nowe urządzenia poprawiają wydajność w różnych zastosowaniach.

W tym samym czasie do serii R60xxYNx standardowych 600V tranzystorów MOSFET o niskiej rezystancji ON dodano dwa modele o jeszcze niższej rezystancji ON. Umożliwia to użytkownikom wybór idealnego produktu w oparciu o wymagania aplikacji docelowej.

Asortyment produktów

Tranzystory serii R60xxVNx (PrestoMOS^TM)

Withstand Voltage VDS [V]	ON Resistance RON typ. [mΩ] VGS=15V	Reverse Recovery Time trr typ. [ns]	Package
			TO-252 ＜DPAK＞	（TO-220FM） ＜TO-220FP＞	TO-220AB	TO-247AD （TO-247）
600	250	65	* R6013VND3	* R6013VNX
	180	68		R6018VNX
	130	80		R6024VNX	R6024VNX3
	95	92		R6035VNX	R6035VNX3
	59	112		* R6055VNX	* R6055VNX3	R6055VNZ4
	42	125				R6077VNZ4
	22	167				* R60A4VNZ4
*: Under Development		Package indicates JEDEC code. ( ): ROHM Package, < >: GENERAL Code.

Tranzystory serii R60xxYNx (Fast Switching Type Super Junction MOSFETs)

Withstand Voltage VDS [V]	ON Resistance RON typ. [mΩ] VGS=12V	Reverse Recovery Time trr typ. [ns]	Package
			TO-252 ＜DPAK＞	（TO-220FM） ＜TO-220FP＞	TO-220AB	TO-3PF	TO-247AD （TO-247）	MO-299 （TOLL）
600	324	200 to 600	* R6010YND3	* R6010YNX	* R6010YNX3
	215		* R6014YND3	R6014YNX	* R6014YNX3
	154			R6020YNX	* R6020YNX3		* R6020YNZ4	* R6020YNJ2
	137			* R6022YNX	* R6022YNX3		* R6022YNZ4	* R6022YNJ2
	112			* R6027YNX	* R6027YNX3		* R6027YNZ4	* R6027YNJ2
	80			* R6038YNX	* R6038YNX3		* R6038YNZ4	* R6038YNJ2
	68			* R6049YNX	* R6049YNX3		* R6049YNZ4	* R6049YNJ2
	50			* R6061YNX	* R6061YNX3		* R6061YNZ4
	49							* R6063YNJ2
	36					* R6086YNZ	* R6086YNZ4
	21						* R60A4YNZ4
*: Under Development		Package indicates JEDEC code. ( ): ROHM Package, < >: GENERAL Code.

Wartość rezystancji pomiędzy drenem a źródłem tranzystora MOSFET podczas pracy (ON) nazywana jest rezystancją ON (RDS(ON)).