Dodano: wtorek, 20 lipca 2021r. Producent: ROHM

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

Firma ROHM opracowała hybrydowe tranzystory IGBT ze zintegrowaną 650V diodą Schottky SBD w technologii SiC, serii RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR). Urządzenia są zakwalifikowane zgodnie z motoryzacyjnym standardem niezawodności AEC-Q101 i są idealne dla zastosowań motoryzacyjnych oraz przemysłowych, które obsługują duże moce, takich jak kondycjonery fotowoltaiczne, ładowarki pokładowe i przetwornice DC/DC stosowane w pojazdach elektrycznych i zelektryfikowanych (xEV).

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

Seria RGWxx65C wykorzystuje niskostratne diody barierowe SiC Schottky'ego firmy ROHM w bloku sprzężenia zwrotnego IGBT, która prawie nie ma energii odzysku, a tym samym oferuje minimalną stratę przełączania diody. Dodatkowo, ponieważ prąd powrotny nie musi być obsługiwany przez IGBT w trybie włączania, strata włączania IGBT jest znacznie zmniejszona. Oba efekty łącznie powodują do 67% niższe straty w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami IGBT i 24% niższe straty w porównaniu z MOSFET-ami Super Junction (MOSFET SJ), gdy są używane w ładowarkach samochodowych. Efekt ten zapewnia dobrą wydajność kosztową, jednocześnie przyczyniając się do mniejszego zużycia energii w zastosowaniach przemysłowych i motoryzacyjnych.

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

W ostatnich latach globalne wysiłki na rzecz zmniejszenia obciążenia środowiska i osiągnięcia społeczeństwa neutralnego pod względem emisji dwutlenku węgla i dekarbonizacji przyczyniły się do rozpowszechnienia pojazdów zelektryfikowanych (xEV). Jednocześnie trwa dywersyfikacja półprzewodników mocy stosowanych w różnych obwodach falownikowych i przekształtnikowych pojazdów niezbędnych do konfiguracji bardziej wydajnych systemów, wraz z innowacjami technologicznymi zarówno ultraniskostratnych urządzeń zasilających SiC (tj. MOSFET SiC, SBD SiC). oraz konwencjonalnych krzemowych urządzeń zasilających (np. tranzystorów IGBT, tranzystorów Super Junction MOSFET).

Aby zapewnić efektywne rozwiązania zasilania dla szerokiej gamy zastosowań, ROHM koncentruje się nie tylko na rozwoju produktów i technologii dla wiodących w branży urządzeń zasilających SiC, ale także na produktach krzemowych i układach scalonych sterowników.

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

Kluczowe cechy

  • Zmniejsza straty o 67% w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami IGBT, zapewniając optymalną wydajność kosztową popularnych samochodowych elektrycznych jednostek sterujących i urządzeń przemysłowych. Przełomowa seria tranzystorów RGWxx65C wykorzystuje diodę SBD w technologii SiC jako diodę gaszącą dla IGBT. Niskostratne diody SiC SBD firmy ROHM znacznie zmniejszają straty podczas włączania w porównaniu z krzemowymi diodami szybkiego odzyskiwania (FRD) stosowanymi w konwencjonalnych tranzystorach IGBT. Zmniejsza to straty o 67% w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami IGBT i 24% w porównaniu z tranzystorami SJ MOSFETS (które generalnie zapewniają mniejsze straty niż tranzystory IGBT) w przypadku stosowania w ładowarkach samochodowych. Co więcej, wysoka sprawność wynosząca ponad 97% jest zapewniona w szerokim zakresie częstotliwości pracy, gdy używamy tego urządzenia w aplikacjach ładowarki samochodowej – 3% wyższa niż istniejące IGBT przy 100 kHz – przyczyniając się do niższego zużycia energii i dobrej wydajności kosztowej w zastosowaniach samochodowych i urządzeń przemysłowych.

  • Kwalifikacja AEC-Q101 umożliwia użytkowanie w trudnych warunkach Te urządzenia są kwalifikowane zgodnie z normą motoryzacyjną AEC-Q101 pod względem niezawodności, zapewniając bezproblemowe użytkowanie nawet w trudnych warunkach.

    Pozostałe aktualności:

    Digi International ogłasza wprowadzenie na rynek modemu komórkowego Digi XBee 3 Global LTE Cat 4 do zastosowań IoT

    Digi International ogłasza wprowadzenie na rynek modemu komórkowego Digi...

    Firma Digi International, wiodący globalny dostawca produktów i usług łączności Internetu Rzeczy (IoT), ogłosiła...

    czwartek, 30 października, 2025 Więcej

    Avalue Technology wspiera rewolucję AIoT dla inteligentnych miast, rolnictwa i transportu

    Avalue Technology wspiera rewolucję AIoT dla inteligentnych miast,...

    Wraz z rozwojem świata w kierunku inteligentniejszych i bardziej połączonych środowisk miejskich, rośnie...

    czwartek, 30 października, 2025 Więcej

    Grandmaster TimeProvider® 4500 v3 firmy Microchip Technology stanowi naziemną alternatywę dla GNSS dla niezawodnych usług infrastruktury krytycznej

    Grandmaster TimeProvider® 4500 v3 firmy Microchip Technology stanowi...

    Wychodząc naprzeciw tym wymaganiom firma Microchip Technology ogłosiła premierę grandmastera TimeProvider® 4500 v3...

    wtorek, 28 października, 2025 Więcej

    Bezpieczne rozwiązania zapewniające zgodność z ustawą o odporności cybernetycznej (CRA)

    Bezpieczne rozwiązania zapewniające zgodność z ustawą o odporności...

    Ustawa o odporności cybernetycznej (CRA) to pionierskie rozporządzenie mające na celu zwiększenie bezpieczeństwa...

    czwartek, 23 października, 2025 Więcej

    Microchip Technology wprowadza PIC32-BZ6 wysoce zintegrowaną, jednoprocesorową platformę bezprzewodową

    Microchip Technology wprowadza PIC32-BZ6 wysoce zintegrowaną,...

    Firma Microchip Technology wprowadza na rynek wysoce zintegrowany mikrokontroler PIC32-BZ6, który stanowi wspólną,...

    środa, 22 października, 2025 Więcej

    ARCH Electronics wprowadza na rynek nowe zasilacze AC-DC serii ARF1300 o mocy 1300W i wysokiej sprawności

    ARCH Electronics wprowadza na rynek nowe zasilacze AC-DC serii ARF1300 o...

    Firma ARCH Electronics, globalny dostawca profesjonalnych rozwiązań zasilania, ogłosiła wprowadzenie na rynek nowych...

    środa, 22 października, 2025 Więcej