Dodano: wtorek, 20 lipca 2021r. Producent: ROHM

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

Firma ROHM opracowała hybrydowe tranzystory IGBT ze zintegrowaną 650V diodą Schottky SBD w technologii SiC, serii RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR). Urządzenia są zakwalifikowane zgodnie z motoryzacyjnym standardem niezawodności AEC-Q101 i są idealne dla zastosowań motoryzacyjnych oraz przemysłowych, które obsługują duże moce, takich jak kondycjonery fotowoltaiczne, ładowarki pokładowe i przetwornice DC/DC stosowane w pojazdach elektrycznych i zelektryfikowanych (xEV).

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

Seria RGWxx65C wykorzystuje niskostratne diody barierowe SiC Schottky'ego firmy ROHM w bloku sprzężenia zwrotnego IGBT, która prawie nie ma energii odzysku, a tym samym oferuje minimalną stratę przełączania diody. Dodatkowo, ponieważ prąd powrotny nie musi być obsługiwany przez IGBT w trybie włączania, strata włączania IGBT jest znacznie zmniejszona. Oba efekty łącznie powodują do 67% niższe straty w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami IGBT i 24% niższe straty w porównaniu z MOSFET-ami Super Junction (MOSFET SJ), gdy są używane w ładowarkach samochodowych. Efekt ten zapewnia dobrą wydajność kosztową, jednocześnie przyczyniając się do mniejszego zużycia energii w zastosowaniach przemysłowych i motoryzacyjnych.

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

W ostatnich latach globalne wysiłki na rzecz zmniejszenia obciążenia środowiska i osiągnięcia społeczeństwa neutralnego pod względem emisji dwutlenku węgla i dekarbonizacji przyczyniły się do rozpowszechnienia pojazdów zelektryfikowanych (xEV). Jednocześnie trwa dywersyfikacja półprzewodników mocy stosowanych w różnych obwodach falownikowych i przekształtnikowych pojazdów niezbędnych do konfiguracji bardziej wydajnych systemów, wraz z innowacjami technologicznymi zarówno ultraniskostratnych urządzeń zasilających SiC (tj. MOSFET SiC, SBD SiC). oraz konwencjonalnych krzemowych urządzeń zasilających (np. tranzystorów IGBT, tranzystorów Super Junction MOSFET).

Aby zapewnić efektywne rozwiązania zasilania dla szerokiej gamy zastosowań, ROHM koncentruje się nie tylko na rozwoju produktów i technologii dla wiodących w branży urządzeń zasilających SiC, ale także na produktach krzemowych i układach scalonych sterowników.

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

Kluczowe cechy

  • Zmniejsza straty o 67% w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami IGBT, zapewniając optymalną wydajność kosztową popularnych samochodowych elektrycznych jednostek sterujących i urządzeń przemysłowych. Przełomowa seria tranzystorów RGWxx65C wykorzystuje diodę SBD w technologii SiC jako diodę gaszącą dla IGBT. Niskostratne diody SiC SBD firmy ROHM znacznie zmniejszają straty podczas włączania w porównaniu z krzemowymi diodami szybkiego odzyskiwania (FRD) stosowanymi w konwencjonalnych tranzystorach IGBT. Zmniejsza to straty o 67% w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami IGBT i 24% w porównaniu z tranzystorami SJ MOSFETS (które generalnie zapewniają mniejsze straty niż tranzystory IGBT) w przypadku stosowania w ładowarkach samochodowych. Co więcej, wysoka sprawność wynosząca ponad 97% jest zapewniona w szerokim zakresie częstotliwości pracy, gdy używamy tego urządzenia w aplikacjach ładowarki samochodowej – 3% wyższa niż istniejące IGBT przy 100 kHz – przyczyniając się do niższego zużycia energii i dobrej wydajności kosztowej w zastosowaniach samochodowych i urządzeń przemysłowych.

  • Kwalifikacja AEC-Q101 umożliwia użytkowanie w trudnych warunkach Te urządzenia są kwalifikowane zgodnie z normą motoryzacyjną AEC-Q101 pod względem niezawodności, zapewniając bezproblemowe użytkowanie nawet w trudnych warunkach.

    Pozostałe aktualności:

    Microchip prezentuje pierwszy switch PCIe® Gen 6 w technologii 3nm, który ma napędzać nowoczesną infrastrukturę AI

    Microchip prezentuje pierwszy switch PCIe® Gen 6 w technologii 3nm,...

    Rodzina Switchtec Gen 6, to pierwsze w branży przełączniki PCIe Gen 6 wyprodukowane w procesie technologicznym 3 nm,...

    wtorek, 14 października, 2025 Więcej

    Zaproszenie na stoisko firmy Gamma w czasie bezpłatnych targów Evertiq Expo 2025 w Warszawie

    Zaproszenie na stoisko firmy Gamma w czasie bezpłatnych targów Evertiq...

    Zapraszamy serdecznie do udziału w bezpłatnych targach branżowy elektroniki Evertiq Expo 2025 w Warszawie.

    wtorek, 14 października, 2025 Więcej

    Digi International świętuje dostarczenie 25 milionów modułów bezprzewodowych Digi XBee

    Digi International świętuje dostarczenie 25 milionów modułów...

    Digi International wiodący globalny dostawca rozwiązań łączności Internetu Rzeczy (IoT), świętuje dostawę ponad 25...

    poniedziałek, 13 października, 2025 Więcej

    MCP6576/7/9 nowej generacji szybkie komparatory firmy Microchip Technology odpowiadają na potrzeby projektowe rynku

    MCP6576/7/9 nowej generacji szybkie komparatory firmy Microchip...

    Firma Microchip Technology z dumą prezentuje nowej generacji (Gen2) rodzinę szybkich komparatorów MCP657x, następców...

    poniedziałek, 13 października, 2025 Więcej

    PGL727XHLT sprzężone cewki indukcyjne firmy YAGEO zasilają procesory, pamięci, układy FPGA i ASIC w serwerach, centrach danych i systemach pamięci

    PGL727XHLT sprzężone cewki indukcyjne firmy YAGEO zasilają procesory,...

    Sprzężone cewki indukcyjne PGL727XHLT dzięki wspólnym uzwojeniom na jednym rdzeniu, redukują tętnienia w fazie bez...

    poniedziałek, 13 października, 2025 Więcej

    Microchip Technology i AVIVA Links zapewniają przełomową interoperacyjność ASA-ML, przyspieszając przejście na otwarte standardy łączności samochodowe

    Microchip Technology i AVIVA Links zapewniają przełomową...

    Firma Microchip Technology ogłosiła ważny kamień milowy we współpracy z AVIVA Links, firmą motoryzacyjną...

    czwartek, 9 października, 2025 Więcej