Dodano: wtorek, 22 czerwiec 2021r. Producent: Microchip Komentarzy: (dodaj komentarz)

Nowy wzmacniacz GMCP2731-10 firmy Microchip wykonany w technologii GaN MMIC

Systemy komunikacji satelitarnej wykorzystują złożone schematy modulacji, aby osiągnąć niesamowicie szybkie szybkości przesyłania danych wymagane do dostarczania szerokopasmowych danych. Aby to osiągnąć, muszą dostarczać wysoką moc wyjściową RF, zapewniając jednocześnie pożądane właściwości sygnałów. Nowy wzmacniacz mocy GMCP2731-10 GaN MMIC zaprezentowany przez Microchip Technology Inc. pomaga spełnić oba te wymagania.

Nowe urządzenie firmy Microchip, pierwsze w technologii GaN MMIC przeznaczone jest do użytku w komercyjnej i obronnej komunikacji satelitarnej, sieciach 5G oraz innych systemach lotniczych oraz militarnych.

GMICP2731-10 wytwarzany jest przy użyciu technologii GaN-on-Silicon Carbide (SiC). Zapewnia do 10 W nasyconej mocy wyjściowej RF w paśmie od 3,5 GHz od 27,5 do 31 GHz. Jego sprawność dodana wynosi 20%, przy 22 dB wzmocnienia małego sygnału i 15 dB straty odbiciowej. Zrównoważona architektura pozwala na dobre dopasowanie GMCP2731-10 do 50 omów i zawiera zintegrowane kondensatory blokujące DC na wyjściu, aby uprościć integrację projektu.

Ponieważ systemy komunikacyjne wykorzystują złożone schematy modulacji, takie jak 128-QAM, a moc półprzewodnikowych wzmacniaczy mocy (SSPA) stale rośnie, projektanci wzmacniaczy mocy RF mają trudne wyzwanie znalezienia rozwiązań o wyższej mocy przy jednoczesnym zmniejszeniu masy i zużyciu energii” – powiedział Leon Gross, wiceprezes jednostki biznesowej Microchip Discrete Products Group. „Mechanizmy GaN MMIC stosowane w SSPA o dużej mocy mogą osiągnąć o ponad 30% niższą moc i wagę w porównaniu z ich odpowiednikami GaAs, co jest ogromnym zyskiem dla producentów rozwiązań satelitarnych. Produkt ten spełnia obietnicę GaN i zapewnia rozmiar, wagę, moc i koszty, których szukają producenci.

GMCP2731-10 firmy Microchip uzupełnia istniejące portfolio wzmacniaczy mocy GaAs MMIC RF, przełączników, wzmacniaczy niskoszumowych i modułów Wi-Fi front-end, a także sterowników GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistor (HEMT) oraz tranzystorów wzmacniacza końcowego dla systemów radarowych.

Komentarze do artykułu

Pozostałe aktualności:

Moduł L501E – budżetowe rozwiązanie LTE dla aplikacji IoT

Moduł L501E – budżetowe rozwiązanie LTE dla aplikacji IoT

Firma Mobiletek w odpowiedzi na potrzeby rynku przemysłowego, zaprezentowała budżetowy moduł L501E, który obsługuje LTE Cat 1 i jest tym...

QH8Mx5/SH8Mx5 nowe dualne tranzystory MOSFET firmy ROHM z obsługą napięć 40V i 60V dla aplikacji wymagających wejścia 24V

QH8Mx5/SH8Mx5 nowe dualne tranzystory MOSFET firmy ROHM z obsługą napięć 40V i 60V...

Firma ROHM opracowała produkty z dwoma tranzystorami MOSFET (Nch+Pch) z napięciami wytrzymywanymi ±40V/±60V, wraz z serią urządzeń...

Raport DER-865 firmy Power Integrations opisuje projekt wydajnego i elastycznego ściemniacza lamp z obsługą BLE

Raport DER-865 firmy Power Integrations opisuje projekt wydajnego i elastycznego...

Raport DER-865 firmy Power Integrations opisuje projekt wydajnego i elastycznego ściemniacza lamp z obsługą BLE, zrealizowany za pomocą...