Dodano: poniedziałek, 29 marca 2021r. Producent: ROHM

Urządzenia zasilające z węglika krzemu (SiC)

Urządzenia z węglika krzemu (SiC - Silicon Carbide) okazały się najbardziej realnym kandydatem na półprzewodniki nowej generacji o niskich stratach ze względu na ich niską rezystancję przy włączaniu oraz doskonałe działanie w wysokich temperaturach, wysokich częstotliwościach i wysokim napięciu w porównaniu z produktami opartymi o krzemem. SiC pozwala również projektantom na użycie mniejszej liczby komponentów, co dodatkowo zmniejsza złożoność projektu.

ROHM jest liderem w opracowywaniu urządzeń i modułów zasilających SiC, które oferują ulepszone oszczędności energii w zastosowaniach w wielu gałęziach przemysłu.

Zastosowania technologii SiC:

  • Wysokowydajne inwertery w przetwornicach DC/AC dla aplikacji energii słonecznej i wiatrowej
  • Przetwornice mocy dla pojazdów elektrycznych i hybrydowych
  • Inwertery do urządzeń przemysłowych i klimatyzatorów
  • Przełączniki wysokiego napięcia dla generatorów promieni rentgenowskich
  • Procesy powlekania cienkowarstwowego

Produkty ROHM SiC

Szeroka oferta produktów SiC firmy ROHM obejmuje diody Schottky'ego (SBD), tranzystory MOSFET, pełne moduły mocy (integrujące SBD i MOSFET) oraz moduły mocy o wysokiej odporności na ciepło. Te kompaktowe i wydajne urządzenia półprzewodnikowe mogą znacznie zmniejszyć rozmiar produktu końcowego.

Diody Schottky

ROHM oferuje trzecią generację SiC SBD wraz z serią SCS3. Produkty te oferują większą zdolność do prądu udarowego, poprawiając jednocześnie najmniejsze w branży napięcie przewodzenia w SBD drugiej generacji firmy ROHM.

Diody SiC Schottky zapewniają większą niezawodność w systemach konwersji mocy, dzięki czemu idealnie nadają się m.in. Do aplikacji ładowarek akumulatorów, paneli słonecznych i stacji ładowania pojazdów elektrycznych.

Niska emisja ciepła z węglika krzemu pozwala producentom zmniejszyć całkowity rozmiar systemów zasilania. Przykładowo 500-watowy zasilacz dla generatorów promieniowania rentgenowskiego wykorzystuje diody SiC SBD firmy ROHM w celu pięciokrotnego zmniejszenia objętości na wat w porównaniu ze starszymi systemami.

Tranzystory SiC MOSFET

Tranzystory SiC MOSFET eliminują prąd ogonowy podczas przełączania, co skutkuje szybszym działaniem i zmniejszonymi stratami przełączania. Ich niska rezystancja przy włączaniu i kompaktowy rozmiar zapewniają niską pojemność i ładunek bramki. SiC wykazuje minimalny wzrost odporności na włączenie i zapewnia większą miniaturyzację i oszczędność energii niż urządzenia Si, w których rezystancja przy włączaniu może wzrosnąć ponad dwukrotnie wraz ze wzrostem temperatury.

Charakterystyka MOSFETów SiC jest szczególnie cenna w sprzęcie do obrazowania medycznego. Niemal natychmiastowe przełączanie umożliwia producentom budowanie przełączników wysokiego napięcia do aparatów rentgenowskich, które pozwalają technikom lepiej kontrolować ekspozycję na promieniowanie podczas testów, a jednocześnie zapewniają wysokiej jakości wyniki.

W sektorze produkcyjnym tranzystor ROHM SCT2080KE MOSFET poprawia wydajność generatorów impulsów, zapewniając stromy czas narastania, który zwiększa produktywność.

Ponadto ROHM niedawno wprowadziła na rynek serię SCT3 MOSFET SiC typu trench-gate, które charakteryzują się niższą rezystancją (o 50% niższą niż poprzednie wersje) i są idealne do zastosowań wymagających wysokiej sprawności.

Moduł mocy SiC

Integracja tranzystorów MOSFET i SBD SiC w moduły zasilając wykonane w pełni z SiC, w porównaniu z konwencjonalnymi modułami IGBT, znacznie zmniejsza straty przy przełączaniu. Moduły ROHM SiC umożliwiają pracę z wysoką częstotliwością powyżej 100 kHz, co zwiększa sprawność urządzeń przemysłowych, takich jak zasilacze wysokiej częstotliwości do ogrzewania indukcyjnego czy hybrydowych systemów magazynowania energii.

Moduł mocy ROHM SiC pomaga dostarczać generatorowi plazmy impulsowej o dużej mocy, pole reakcyjne do 200 kHz, co jest możliwe do osiągnięcia tylko dzięki SiC.

Gamma Sp. z o.o. jest autoryzowanym dystrybutorem rozwiazań firmy ROHM w Polsce. Zapraszamy do kontaktu z naszym działem handlowym.

Pozostałe aktualności:

LPT2400/71DMN niskoprofilowa, wysokowydajna antena WiFi firmy Yageo dla wymagających środowisk

LPT2400/71DMN niskoprofilowa, wysokowydajna antena WiFi firmy Yageo dla...

LPT2400/71DMN firmy YAGEO Group to wytrzymała, wysokowydajna antena zaprojektowana z myślą o bezproblemowej łączności...

piątek, 11 lipca, 2025 Więcej

Microchip rozszerza ofertę układów FPGA przeznaczonych do zastosowań kosmicznych o nowe kwalifikacje urządzeń RT PolarFire® i dostępność układów SoC

Microchip rozszerza ofertę układów FPGA przeznaczonych do zastosowań...

Firma Microchip Technology, ogłosiła dwa nowe kamienie milowe dla swojej technologii wzmocnionej na promieniowanie...

piątek, 11 lipca, 2025 Więcej

EPS-RPR wzmocniony i wydajny system firmy Avalue Technology dla wydajnego przetwarzania w przemysłowych aplikacjach brzegowych AI/ML/MV

EPS-RPR wzmocniony i wydajny system firmy Avalue Technology dla...

Firma Avalue Technology Inc. ogłosiła premierę swojego nowego, bezwentylatorowego, wytrzymałego systemu wbudowanego...

czwartek, 10 lipca, 2025 Więcej

Przegląd produktów Microchip 06/2025

Przegląd produktów Microchip 06/2025

Przegląd produktów firmy Microchip zawiera wybór najnowszych rozwiązań oraz projektów referencyjnych.

czwartek, 10 lipca, 2025 Więcej

MTCH9010 firmy Microchip Technology to kompleksowe rozwiązanie do wykrywania cieczy

MTCH9010 firmy Microchip Technology to kompleksowe rozwiązanie do...

W przeciwieństwie do konwencjonalnych czujników, które wymagają dodatkowego sprzętu lub niestandardowego...

środa, 9 lipca, 2025 Więcej

Trzy kluczowe czynniki przy wyborze zasilaczy AC-DC: sprawność, format i wydajność EMI

Trzy kluczowe czynniki przy wyborze zasilaczy AC-DC: sprawność, format i...

Niniejszy artykuł koncentruje się na trzech kluczowych wyzwaniach, z jakimi inżynierowie mierzą się podczas wyboru:...

środa, 9 lipca, 2025 Więcej