Dodano: poniedziałek, 29 marca 2021r. Producent: ROHM

Urządzenia zasilające z węglika krzemu (SiC)

Urządzenia z węglika krzemu (SiC - Silicon Carbide) okazały się najbardziej realnym kandydatem na półprzewodniki nowej generacji o niskich stratach ze względu na ich niską rezystancję przy włączaniu oraz doskonałe działanie w wysokich temperaturach, wysokich częstotliwościach i wysokim napięciu w porównaniu z produktami opartymi o krzemem. SiC pozwala również projektantom na użycie mniejszej liczby komponentów, co dodatkowo zmniejsza złożoność projektu.

ROHM jest liderem w opracowywaniu urządzeń i modułów zasilających SiC, które oferują ulepszone oszczędności energii w zastosowaniach w wielu gałęziach przemysłu.

Zastosowania technologii SiC:

  • Wysokowydajne inwertery w przetwornicach DC/AC dla aplikacji energii słonecznej i wiatrowej
  • Przetwornice mocy dla pojazdów elektrycznych i hybrydowych
  • Inwertery do urządzeń przemysłowych i klimatyzatorów
  • Przełączniki wysokiego napięcia dla generatorów promieni rentgenowskich
  • Procesy powlekania cienkowarstwowego

Produkty ROHM SiC

Szeroka oferta produktów SiC firmy ROHM obejmuje diody Schottky'ego (SBD), tranzystory MOSFET, pełne moduły mocy (integrujące SBD i MOSFET) oraz moduły mocy o wysokiej odporności na ciepło. Te kompaktowe i wydajne urządzenia półprzewodnikowe mogą znacznie zmniejszyć rozmiar produktu końcowego.

Diody Schottky

ROHM oferuje trzecią generację SiC SBD wraz z serią SCS3. Produkty te oferują większą zdolność do prądu udarowego, poprawiając jednocześnie najmniejsze w branży napięcie przewodzenia w SBD drugiej generacji firmy ROHM.

Diody SiC Schottky zapewniają większą niezawodność w systemach konwersji mocy, dzięki czemu idealnie nadają się m.in. Do aplikacji ładowarek akumulatorów, paneli słonecznych i stacji ładowania pojazdów elektrycznych.

Niska emisja ciepła z węglika krzemu pozwala producentom zmniejszyć całkowity rozmiar systemów zasilania. Przykładowo 500-watowy zasilacz dla generatorów promieniowania rentgenowskiego wykorzystuje diody SiC SBD firmy ROHM w celu pięciokrotnego zmniejszenia objętości na wat w porównaniu ze starszymi systemami.

Tranzystory SiC MOSFET

Tranzystory SiC MOSFET eliminują prąd ogonowy podczas przełączania, co skutkuje szybszym działaniem i zmniejszonymi stratami przełączania. Ich niska rezystancja przy włączaniu i kompaktowy rozmiar zapewniają niską pojemność i ładunek bramki. SiC wykazuje minimalny wzrost odporności na włączenie i zapewnia większą miniaturyzację i oszczędność energii niż urządzenia Si, w których rezystancja przy włączaniu może wzrosnąć ponad dwukrotnie wraz ze wzrostem temperatury.

Charakterystyka MOSFETów SiC jest szczególnie cenna w sprzęcie do obrazowania medycznego. Niemal natychmiastowe przełączanie umożliwia producentom budowanie przełączników wysokiego napięcia do aparatów rentgenowskich, które pozwalają technikom lepiej kontrolować ekspozycję na promieniowanie podczas testów, a jednocześnie zapewniają wysokiej jakości wyniki.

W sektorze produkcyjnym tranzystor ROHM SCT2080KE MOSFET poprawia wydajność generatorów impulsów, zapewniając stromy czas narastania, który zwiększa produktywność.

Ponadto ROHM niedawno wprowadziła na rynek serię SCT3 MOSFET SiC typu trench-gate, które charakteryzują się niższą rezystancją (o 50% niższą niż poprzednie wersje) i są idealne do zastosowań wymagających wysokiej sprawności.

Moduł mocy SiC

Integracja tranzystorów MOSFET i SBD SiC w moduły zasilając wykonane w pełni z SiC, w porównaniu z konwencjonalnymi modułami IGBT, znacznie zmniejsza straty przy przełączaniu. Moduły ROHM SiC umożliwiają pracę z wysoką częstotliwością powyżej 100 kHz, co zwiększa sprawność urządzeń przemysłowych, takich jak zasilacze wysokiej częstotliwości do ogrzewania indukcyjnego czy hybrydowych systemów magazynowania energii.

Moduł mocy ROHM SiC pomaga dostarczać generatorowi plazmy impulsowej o dużej mocy, pole reakcyjne do 200 kHz, co jest możliwe do osiągnięcia tylko dzięki SiC.

Gamma Sp. z o.o. jest autoryzowanym dystrybutorem rozwiazań firmy ROHM w Polsce. Zapraszamy do kontaktu z naszym działem handlowym.

Pozostałe aktualności:

Power Integrations wprowadza na rynek zestaw referencyjny RDK-85SLR dla pojazdów zasilanych energią słoneczną

Power Integrations wprowadza na rynek zestaw referencyjny RDK-85SLR dla...

Zestaw RDK-85SLR zawiera układ scalony PI™ InnoSwitch™3-AQ, który wykorzystuje technologię przełączania azotku galu...

piątek, 22 sierpnia, 2025 Więcej

Nowa rodzina buforów zegarowych SKY53510/80/40 została zaprojektowana specjalnie dla centrów danych, sieci bezprzewodowych i aplikacji PCIe Gen 7

Nowa rodzina buforów zegarowych SKY53510/80/40 została zaprojektowana...

Rodzina SKY53510/80/40 oferuje skalowalne rozwiązanie bufora zegara o niskim jitterze, które upraszcza projektowanie...

czwartek, 21 sierpnia, 2025 Więcej

Gamma na TEK.day 2025 w Gdańsku

Gamma na TEK.day 2025 w Gdańsku

TEK.day to jednodniowe wydarzenie, dedykowane dla osób profesjonalnie związanych z projektowaniem i produkcją...

środa, 20 sierpnia, 2025 Więcej

Adaptec® SmartRAID 4300 NVMe® RAID wydajne rozwiązanie Software-Defined Storage (SDS) firmy Microchip Technology dla wdrożeń NVMe

Adaptec® SmartRAID 4300 NVMe® RAID wydajne rozwiązanie Software-Defined...

Firma Microchip Technology wprowadziła na rynek serię akceleratorów pamięci masowej Adaptec® SmartRAID 4300 NVMe®...

poniedziałek, 11 sierpnia, 2025 Więcej

HPM-GNRUA wydajna płyta główna firmy Avalue dla serwerów w zastosowaniach sztucznej inteligencji (AI) i centrów danych

HPM-GNRUA wydajna płyta główna firmy Avalue dla serwerów w...

Firma Avalue Technology Inc. zaprezentowała płytę główną klasy serwerowej, HPM-GNRUA, zaprojektowaną z myślą o...

wtorek, 29 lipca, 2025 Więcej

Kompaktowe rozwiązania filtrujące dla nowoczesnych projektów bezprzewodowych

Kompaktowe rozwiązania filtrujące dla nowoczesnych projektów...

Dipleksery DPX1608LKE5R2460A i DPX2012LRGYR2558A firmy Pulse Electroncis należącej do YAGEO Group zostały...

wtorek, 29 lipca, 2025 Więcej