Dodano: poniedziałek, 29 marca 2021r. Producent: ROHM

Urządzenia zasilające z węglika krzemu (SiC)

Urządzenia z węglika krzemu (SiC - Silicon Carbide) okazały się najbardziej realnym kandydatem na półprzewodniki nowej generacji o niskich stratach ze względu na ich niską rezystancję przy włączaniu oraz doskonałe działanie w wysokich temperaturach, wysokich częstotliwościach i wysokim napięciu w porównaniu z produktami opartymi o krzemem. SiC pozwala również projektantom na użycie mniejszej liczby komponentów, co dodatkowo zmniejsza złożoność projektu.

ROHM jest liderem w opracowywaniu urządzeń i modułów zasilających SiC, które oferują ulepszone oszczędności energii w zastosowaniach w wielu gałęziach przemysłu.

Zastosowania technologii SiC:

  • Wysokowydajne inwertery w przetwornicach DC/AC dla aplikacji energii słonecznej i wiatrowej
  • Przetwornice mocy dla pojazdów elektrycznych i hybrydowych
  • Inwertery do urządzeń przemysłowych i klimatyzatorów
  • Przełączniki wysokiego napięcia dla generatorów promieni rentgenowskich
  • Procesy powlekania cienkowarstwowego

Produkty ROHM SiC

Szeroka oferta produktów SiC firmy ROHM obejmuje diody Schottky'ego (SBD), tranzystory MOSFET, pełne moduły mocy (integrujące SBD i MOSFET) oraz moduły mocy o wysokiej odporności na ciepło. Te kompaktowe i wydajne urządzenia półprzewodnikowe mogą znacznie zmniejszyć rozmiar produktu końcowego.

Diody Schottky

ROHM oferuje trzecią generację SiC SBD wraz z serią SCS3. Produkty te oferują większą zdolność do prądu udarowego, poprawiając jednocześnie najmniejsze w branży napięcie przewodzenia w SBD drugiej generacji firmy ROHM.

Diody SiC Schottky zapewniają większą niezawodność w systemach konwersji mocy, dzięki czemu idealnie nadają się m.in. Do aplikacji ładowarek akumulatorów, paneli słonecznych i stacji ładowania pojazdów elektrycznych.

Niska emisja ciepła z węglika krzemu pozwala producentom zmniejszyć całkowity rozmiar systemów zasilania. Przykładowo 500-watowy zasilacz dla generatorów promieniowania rentgenowskiego wykorzystuje diody SiC SBD firmy ROHM w celu pięciokrotnego zmniejszenia objętości na wat w porównaniu ze starszymi systemami.

Tranzystory SiC MOSFET

Tranzystory SiC MOSFET eliminują prąd ogonowy podczas przełączania, co skutkuje szybszym działaniem i zmniejszonymi stratami przełączania. Ich niska rezystancja przy włączaniu i kompaktowy rozmiar zapewniają niską pojemność i ładunek bramki. SiC wykazuje minimalny wzrost odporności na włączenie i zapewnia większą miniaturyzację i oszczędność energii niż urządzenia Si, w których rezystancja przy włączaniu może wzrosnąć ponad dwukrotnie wraz ze wzrostem temperatury.

Charakterystyka MOSFETów SiC jest szczególnie cenna w sprzęcie do obrazowania medycznego. Niemal natychmiastowe przełączanie umożliwia producentom budowanie przełączników wysokiego napięcia do aparatów rentgenowskich, które pozwalają technikom lepiej kontrolować ekspozycję na promieniowanie podczas testów, a jednocześnie zapewniają wysokiej jakości wyniki.

W sektorze produkcyjnym tranzystor ROHM SCT2080KE MOSFET poprawia wydajność generatorów impulsów, zapewniając stromy czas narastania, który zwiększa produktywność.

Ponadto ROHM niedawno wprowadziła na rynek serię SCT3 MOSFET SiC typu trench-gate, które charakteryzują się niższą rezystancją (o 50% niższą niż poprzednie wersje) i są idealne do zastosowań wymagających wysokiej sprawności.

Moduł mocy SiC

Integracja tranzystorów MOSFET i SBD SiC w moduły zasilając wykonane w pełni z SiC, w porównaniu z konwencjonalnymi modułami IGBT, znacznie zmniejsza straty przy przełączaniu. Moduły ROHM SiC umożliwiają pracę z wysoką częstotliwością powyżej 100 kHz, co zwiększa sprawność urządzeń przemysłowych, takich jak zasilacze wysokiej częstotliwości do ogrzewania indukcyjnego czy hybrydowych systemów magazynowania energii.

Moduł mocy ROHM SiC pomaga dostarczać generatorowi plazmy impulsowej o dużej mocy, pole reakcyjne do 200 kHz, co jest możliwe do osiągnięcia tylko dzięki SiC.

Gamma Sp. z o.o. jest autoryzowanym dystrybutorem rozwiazań firmy ROHM w Polsce. Zapraszamy do kontaktu z naszym działem handlowym.

Pozostałe aktualności:

Nowa linia komórkowych anten wewnętrznych DAS firmy Pulse Electronics

Nowa linia komórkowych anten wewnętrznych DAS firmy Pulse Electronics

Firma Pulse Electronics, światowy lider rozwiązań komunikacji bezprzewodowej, ogłosiła wprowadzenie innowacyjnej...

poniedziałek, 11 marca, 2024 Więcej

EEC1005-UB2 kontrolery Universal Backplane Management (UBM) firmy Microchip dla wydajnego i bezpieczego zarządzania infrastrukturą pamięci masowych

EEC1005-UB2 kontrolery Universal Backplane Management (UBM) firmy...

Firma Microchip Technology wprowadziła na rynek rodzinę kontrolerów EEC1005-UB2 Universal Backplane Management (UBM).

czwartek, 7 marca, 2024 Więcej

InnoMux™-2 wysokiej sprawności, offlineowy układ zasilania firmy Power Integrations dla aplikacji wymagających wielu napięć zasilania

InnoMux™-2 wysokiej sprawności, offlineowy układ zasilania firmy Power...

Firma Power Integrations, wprowadziła do oferty rodzinę jednostopniowych, niezależnie regulowanych układów zasilania...

wtorek, 5 marca, 2024 Więcej

Microchip Technology wprowadza nową rodzinę zintegrowanych sterowników silników BLDC opartych na cyfrowym kontrolerze sygnału DSC dsPIC33®

Microchip Technology wprowadza nową rodzinę zintegrowanych sterowników...

Microchip Technology wprowadza nową rodzinę zintegrowanych sterowników silników BLDC opartych cyfrowym kontrolerze...

środa, 28 lutego, 2024 Więcej

Gamma na TEK.day 2024 we Wrocławiu

Gamma na TEK.day 2024 we Wrocławiu

TEK.day to jednodniowe wydarzenie, dedykowane dla osób profesjonalnie związanych z projektowaniem i produkcją...

wtorek, 27 lutego, 2024 Więcej

Polarfire® SOC Discovery firmy Microchip, przystępny cenowo zestaw rozwojowy dla łatwego wejścia w tworzenie aplikacji FPGA

Polarfire® SOC Discovery firmy Microchip, przystępny cenowo zestaw...

Aby wypełnić tę lukę i pomóc wzmocnić innowacje, firma Microchip Technology udostępniła zestaw Polarfire® SOC...

wtorek, 20 lutego, 2024 Więcej