Firma ROHM zaprezentowała nową linię MOSFET’ów z kanałem P składającą się z 24, 24-woltowych, tranzystorów z wytrzymałością na napięcia -40V/-60V, dostępnych zarówno w pojedynczych (RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT), jak i podwójnych konfiguracjach (UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5) - idealne do zastosowań przemysłowych i aplikacji konsumenckich, takich jak automatyka przemysłowa, robotyka i systemy klimatyzacyjne.
W ostatnich latach, gdy zapotrzebowanie na wyższą sprawność i gęstość mocy przemawia za przyjęciem wyższych napięć wejściowych w zastosowaniach przemysłowych i konsumenckich, oczekuje się, że tranzystory MOSFET zapewnią nie tylko niską rezystancję ON, ale także wysokie wytrzymywane napięcia.
Istnieją dwa typy tranzystorów MOSFET: kanału N oraz kanału P. Chociaż typy z kanałami typu N zwykle charakteryzują się wyższą sprawnością, gdy są używane po stronie wysokiej,potrzebne jest napięcie bramki wyższe niż napięcie wejściowe,komplikując konfigurację obwodu. Z drugiej strony tranzystory MOSFET z kanałem P mogą być zasilane napięciem bramki niższym niż napięcie wejściowe, co znacznie upraszcza konfigurację obwodu, jednocześnie zmniejszając obciążenie projektowe.
W tym kontekście firma ROHM opracowała tranzystory MOSFET z kanałem P o niskiej rezystancji przy -40V/-60V, kompatybilne z napięciem wejściowym 24V, wykorzystując zaawansowany, udoskonalony proces piątej generacji. Oparte na sprawdzonej na rynku strukturze MOSFET z kanałem P firmy ROHM, nowe tranzystory wykorzystują udoskonaloną technologię procesową, aby osiągnąć najniższy opór włączenia na jednostkę powierzchni w swojej klasie. Przekłada się to na 62% niższą odporność na włączenie w porównaniu z konwencjonalnymi produktami w przypadku nowych produktów -40V i 52% w przypadku nowych produktów -60V.
Jednocześnie poprawia się jakość poprzez optymalizację struktury urządzenia i przyjęcie nowej konstrukcji, która ogranicza koncentrację pola elektrycznego. W rezultacie uzyskuje się zarówno wysoką niezawodność, jak i niską rezystancję na załączenie (które zazwyczaj są w kompromisie). Rozwiązania te przyczyniają się do stabilnej i długotrwałej pracy w urządzeniach przemysłowych wymagających wyjątkowej jakości. ROHM nieustannie opracowuje różnorodne opakowania do szerokiego zakresu zastosowań, w tym produktów zoptymalizowanych dla sektora motoryzacyjnego. Oprócz zaprezentowanych tranzystorów MOSFET z kanałem P piątej generacji, aby wzmocnić naszą ofertę stacji bazowych 5G i serwerów centrów danych, gdzie zapotrzebowanie rośnie, firma opracowuje wysokowydajne tranzystory MOSFET z kanałem N. Produkty te przyczyniają się do zmniejszenia obciążenia projektowego aplikacji, jednocześnie zwiększając sprawność i niezawodność.
Gamma Sp. z o.o. jest wieloletnim dystrybutorem rozwiązań firmy ROHM w Polsce. Zapraszamy do kontaktu z naszym działem handlowym.
W ofercie przekaźników HVDC firmy Hongfa znajdują się zaawansowane modele przeznaczone do zastosowań w pojazdach...
Firma Arch Electronics zaprezentowała najnowszy 20W ultra kompaktowy moduł zasilania ARCF20 do montażu na płytce...
Firma Microchip Technology ogłosiła wprowadzenie rodziny tranzystorów MOSFET mocy wzmocnionych na promieniowanie...
Firma Coto Technology zaprezentowała czujnik magnetyczny RedRock® RR133-1E83-511 oparty na technologii TMR...
ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc. to15,6-calowy samoobsługowy kiosk zaprojektowany, aby zrewolucjonizować...
Ultraszybkie diody Qspeed serii H firmy Power Integrations są teraz dostępne z wartościami znamionowymi 650V do 30A.