Nowe tranzystory MOSFET z kanałem P piątej generacji firmy ROHM zapewniają wiodącą w swojej klasie niską rezystancję ON

Firma ROHM zaprezentowała nową linię MOSFET’ów z kanałem P składającą się z 24, 24-woltowych, tranzystorów z wytrzymałością na napięcia -40V/-60V, dostępnych zarówno w pojedynczych (RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT), jak i podwójnych konfiguracjach (UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5) - idealne do zastosowań przemysłowych i aplikacji konsumenckich, takich jak automatyka przemysłowa, robotyka i systemy klimatyzacyjne.

W ostatnich latach, gdy zapotrzebowanie na wyższą sprawność i gęstość mocy przemawia za przyjęciem wyższych napięć wejściowych w zastosowaniach przemysłowych i konsumenckich, oczekuje się, że tranzystory MOSFET zapewnią nie tylko niską rezystancję ON, ale także wysokie wytrzymywane napięcia.

Istnieją dwa typy tranzystorów MOSFET: kanału N oraz kanału P. Chociaż typy z kanałami typu N zwykle charakteryzują się wyższą sprawnością, gdy są używane po stronie wysokiej,potrzebne jest napięcie bramki wyższe niż napięcie wejściowe,komplikując konfigurację obwodu. Z drugiej strony tranzystory MOSFET z kanałem P mogą być zasilane napięciem bramki niższym niż napięcie wejściowe, co znacznie upraszcza konfigurację obwodu, jednocześnie zmniejszając obciążenie projektowe.

W tym kontekście firma ROHM opracowała tranzystory MOSFET z kanałem P o niskiej rezystancji przy -40V/-60V, kompatybilne z napięciem wejściowym 24V, wykorzystując zaawansowany, udoskonalony proces piątej generacji. Oparte na sprawdzonej na rynku strukturze MOSFET z kanałem P firmy ROHM, nowe tranzystory wykorzystują udoskonaloną technologię procesową, aby osiągnąć najniższy opór włączenia na jednostkę powierzchni w swojej klasie. Przekłada się to na 62% niższą odporność na włączenie w porównaniu z konwencjonalnymi produktami w przypadku nowych produktów -40V i 52% w przypadku nowych produktów -60V.

Jednocześnie poprawia się jakość poprzez optymalizację struktury urządzenia i przyjęcie nowej konstrukcji, która ogranicza koncentrację pola elektrycznego. W rezultacie uzyskuje się zarówno wysoką niezawodność, jak i niską rezystancję na załączenie (które zazwyczaj są w kompromisie). Rozwiązania te przyczyniają się do stabilnej i długotrwałej pracy w urządzeniach przemysłowych wymagających wyjątkowej jakości. ROHM nieustannie opracowuje różnorodne opakowania do szerokiego zakresu zastosowań, w tym produktów zoptymalizowanych dla sektora motoryzacyjnego. Oprócz zaprezentowanych tranzystorów MOSFET z kanałem P piątej generacji, aby wzmocnić naszą ofertę stacji bazowych 5G i serwerów centrów danych, gdzie zapotrzebowanie rośnie, firma opracowuje wysokowydajne tranzystory MOSFET z kanałem N. Produkty te przyczyniają się do zmniejszenia obciążenia projektowego aplikacji, jednocześnie zwiększając sprawność i niezawodność.

Gamma Sp. z o.o. jest wieloletnim dystrybutorem rozwiązań firmy ROHM w Polsce. Zapraszamy do kontaktu z naszym działem handlowym.