Firma ROHM zaprezentowała sześć nowych bramowych tranzystorów MOSFET typu SiC (650V/1200V), serii SCT3xxx xR, idealnych do zasilania aplikacji serwerowych, systemów UPS, falowników słonecznych i stacji ładowania pojazdów elektrycznych, wymagających wysokiej sprawności.
Seria SCT3xxxxR wykorzystuje 4-stykowy pakiet TO-247-4L, który maksymalizuje wydajność przełączania, umożliwiając zmniejszenie strat przełączania nawet o 35% w porównaniu z konwencjonalnymi 3-stykowymi pakietami TO-247N. Przyczynia się to do znacznego zmniejszenia zużycia energii w różnych aplikacjach.

W ostatnich latach rosnące zapotrzebowanie na usługi w chmurze wynikające z rozprzestrzeniania się sztucznej inteligencji i Internetu Rzeczy (IoT), zwiększyło zapotrzebowanie na centra danych na całym świecie. Jednak w przypadku serwerów stosowanych w centrach danych jednym z głównych wyzwań jest zmniejszenie zużycia energii wraz ze wzrostem pojemności i wydajności. Dlatego też urządzenia SiC przyciągają uwagę ze względu na ich mniejsze straty w porównaniu z urządzeniami krzemowymi stosowanymi w obwodach konwersji mocy aplikacji serwerowych. Ponieważ pakiet TO-247-4L umożliwia zmniejszenie strat przełączania w porównaniu z konwencjonalnymi produktami, oczekuje się, że zostanie on zastosowany w wielu aplikacjach o wysokiej wydajności, takich jak serwery, stacje bazowe czy też systemów wytwarzania energii odnawialnej.

Już w 2015 r. firma ROHM stała się pierwszym dostawcą, który z powodzeniem wprowadził do produkcji masowej układy MOSFET typu SiC i nadal przoduje w branży w zakresie rozwoju tychże produktów. Oprócz najnowszych tranzystorów MOSFET SiC 650V/1200V, firma ROHM jest zaangażowana w opracowywanie innowacyjnych urządzeń i rozwiązań, które przyczyniają się do obniżenia zużycia energii w różnych urządzeniach, w tym sterowników bram zoptymalizowanych pod kątem SiC.
ROHM dostarcza również rozwiązanie ułatwiające ocenę aplikacji, w tym płytkę ewaluacyjną SiC MOSFET, P02SCT3040KR-EVK-001, wyposażoną w układy scalone sterownika bramki (BM6101FV-C) wraz z wieloma układami scalonymi zasilania i dyskretnymi komponentami zoptymalizowanymi dla napędu urządzenia SiC.

| Part No. | Drain-Source Voltage VDS [V] | Drain-Source ON Resistance RDS(ON)@25ºC [mΩ(typ.)] | Drain Current ID@25ºC [A] | Drain Loss PD [W] | Operating Temperature Range [ºC] | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT3030ARNowy | 650 | 30 | 70 | 262 | -55 to +175 | TO-247-4L |
| SCT3060ARNowy | 60 | 39 | 165 | |||
| SCT3080ARNowy | 80 | 30 | 134 | |||
| SCT3040KRNowy | 1200 | 40 | 55 | 262 | ||
| SCT3080KRNowy | 80 | 31 | 165 | |||
| SCT3105KRNowy | 105 | 24 | 134 |

Ustawa o odporności cybernetycznej (CRA) to pionierskie rozporządzenie mające na celu zwiększenie bezpieczeństwa...

Firma Microchip Technology wprowadza na rynek wysoce zintegrowany mikrokontroler PIC32-BZ6, który stanowi wspólną,...

Firma ARCH Electronics, globalny dostawca profesjonalnych rozwiązań zasilania, ogłosiła wprowadzenie na rynek nowych...

Układ MTCH9010 firmy Microchip Technology to nowatorskie urządzenie do wykrywania wycieków, które można zaadaptować z...

Jedną z najszybciej rozwijających się, najbardziej elastycznych i łatwych do wdrożenia technologii LPWAN jest...

NetBurner, partner firmy Microchip, zbudował swoje moduły MODM7AE70 i SBE70LC w oparciu o urządzenia SAM E70 i...
