Firma ROHM zaprezentowała sześć nowych bramowych tranzystorów MOSFET typu SiC (650V/1200V), serii SCT3xxx xR, idealnych do zasilania aplikacji serwerowych, systemów UPS, falowników słonecznych i stacji ładowania pojazdów elektrycznych, wymagających wysokiej sprawności.

Seria SCT3xxxxR wykorzystuje 4-stykowy pakiet TO-247-4L, który maksymalizuje wydajność przełączania, umożliwiając zmniejszenie strat przełączania nawet o 35% w porównaniu z konwencjonalnymi 3-stykowymi pakietami TO-247N. Przyczynia się to do znacznego zmniejszenia zużycia energii w różnych aplikacjach.

W ostatnich latach rosnące zapotrzebowanie na usługi w chmurze wynikające z rozprzestrzeniania się sztucznej inteligencji i Internetu Rzeczy (IoT), zwiększyło zapotrzebowanie na centra danych na całym świecie. Jednak w przypadku serwerów stosowanych w centrach danych jednym z głównych wyzwań jest zmniejszenie zużycia energii wraz ze wzrostem pojemności i wydajności. Dlatego też urządzenia SiC przyciągają uwagę ze względu na ich mniejsze straty w porównaniu z urządzeniami krzemowymi stosowanymi w obwodach konwersji mocy aplikacji serwerowych. Ponieważ pakiet TO-247-4L umożliwia zmniejszenie strat przełączania w porównaniu z konwencjonalnymi produktami, oczekuje się, że zostanie on zastosowany w wielu aplikacjach o wysokiej wydajności, takich jak serwery, stacje bazowe czy też systemów wytwarzania energii odnawialnej.

Już w 2015 r. firma ROHM stała się pierwszym dostawcą, który z powodzeniem wprowadził do produkcji masowej układy MOSFET typu SiC i nadal przoduje w branży w zakresie rozwoju tychże produktów. Oprócz najnowszych tranzystorów MOSFET SiC 650V/1200V, firma ROHM jest zaangażowana w opracowywanie innowacyjnych urządzeń i rozwiązań, które przyczyniają się do obniżenia zużycia energii w różnych urządzeniach, w tym sterowników bram zoptymalizowanych pod kątem SiC.

ROHM dostarcza również rozwiązanie ułatwiające ocenę aplikacji, w tym płytkę ewaluacyjną SiC MOSFET, P02SCT3040KR-EVK-001, wyposażoną w układy scalone sterownika bramki (BM6101FV-C) wraz z wieloma układami scalonymi zasilania i dyskretnymi komponentami zoptymalizowanymi dla napędu urządzenia SiC.