Firma ROHM zaprezentowała sześć nowych bramowych tranzystorów MOSFET typu SiC (650V/1200V), serii SCT3xxx xR, idealnych do zasilania aplikacji serwerowych, systemów UPS, falowników słonecznych i stacji ładowania pojazdów elektrycznych, wymagających wysokiej sprawności.
Seria SCT3xxxxR wykorzystuje 4-stykowy pakiet TO-247-4L, który maksymalizuje wydajność przełączania, umożliwiając zmniejszenie strat przełączania nawet o 35% w porównaniu z konwencjonalnymi 3-stykowymi pakietami TO-247N. Przyczynia się to do znacznego zmniejszenia zużycia energii w różnych aplikacjach.
W ostatnich latach rosnące zapotrzebowanie na usługi w chmurze wynikające z rozprzestrzeniania się sztucznej inteligencji i Internetu Rzeczy (IoT), zwiększyło zapotrzebowanie na centra danych na całym świecie. Jednak w przypadku serwerów stosowanych w centrach danych jednym z głównych wyzwań jest zmniejszenie zużycia energii wraz ze wzrostem pojemności i wydajności. Dlatego też urządzenia SiC przyciągają uwagę ze względu na ich mniejsze straty w porównaniu z urządzeniami krzemowymi stosowanymi w obwodach konwersji mocy aplikacji serwerowych. Ponieważ pakiet TO-247-4L umożliwia zmniejszenie strat przełączania w porównaniu z konwencjonalnymi produktami, oczekuje się, że zostanie on zastosowany w wielu aplikacjach o wysokiej wydajności, takich jak serwery, stacje bazowe czy też systemów wytwarzania energii odnawialnej.
Już w 2015 r. firma ROHM stała się pierwszym dostawcą, który z powodzeniem wprowadził do produkcji masowej układy MOSFET typu SiC i nadal przoduje w branży w zakresie rozwoju tychże produktów. Oprócz najnowszych tranzystorów MOSFET SiC 650V/1200V, firma ROHM jest zaangażowana w opracowywanie innowacyjnych urządzeń i rozwiązań, które przyczyniają się do obniżenia zużycia energii w różnych urządzeniach, w tym sterowników bram zoptymalizowanych pod kątem SiC.
ROHM dostarcza również rozwiązanie ułatwiające ocenę aplikacji, w tym płytkę ewaluacyjną SiC MOSFET, P02SCT3040KR-EVK-001, wyposażoną w układy scalone sterownika bramki (BM6101FV-C) wraz z wieloma układami scalonymi zasilania i dyskretnymi komponentami zoptymalizowanymi dla napędu urządzenia SiC.
Part No. | Drain-Source Voltage VDS [V] | Drain-Source ON Resistance RDS(ON)@25ºC [mΩ(typ.)] | Drain Current ID@25ºC [A] | Drain Loss PD [W] | Operating Temperature Range [ºC] | Package |
---|---|---|---|---|---|---|
SCT3030ARNowy | 650 | 30 | 70 | 262 | -55 to +175 | TO-247-4L |
SCT3060ARNowy | 60 | 39 | 165 | |||
SCT3080ARNowy | 80 | 30 | 134 | |||
SCT3040KRNowy | 1200 | 40 | 55 | 262 | ||
SCT3080KRNowy | 80 | 31 | 165 | |||
SCT3105KRNowy | 105 | 24 | 134 |
W ofercie przekaźników HVDC firmy Hongfa znajdują się zaawansowane modele przeznaczone do zastosowań w pojazdach...
Firma Arch Electronics zaprezentowała najnowszy 20W ultra kompaktowy moduł zasilania ARCF20 do montażu na płytce...
Firma Microchip Technology ogłosiła wprowadzenie rodziny tranzystorów MOSFET mocy wzmocnionych na promieniowanie...
Firma Coto Technology zaprezentowała czujnik magnetyczny RedRock® RR133-1E83-511 oparty na technologii TMR...
ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc. to15,6-calowy samoobsługowy kiosk zaprojektowany, aby zrewolucjonizować...
Ultraszybkie diody Qspeed serii H firmy Power Integrations są teraz dostępne z wartościami znamionowymi 650V do 30A.