Dodano: poniedziałek, 10 czerwiec 2019r. Producent: ROHM Komentarzy: (dodaj komentarz)

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje jako pierwsza w branży 1700V MOSFET typu SiC

Seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM umożliwia osiągnięcie przełomowych oszczędności energii i ułatwia tworzenie wydajnych konstrukcji przetwornic AC/DC, rozwiązując wiele problemów napotykanych przez projektantów przy użyciu standardowych dyskretnych rozwiązań mocy. Zastosowanie w jednym pakiecie tranzystora MOSFET SiC i obwodu sterowania zoptymalizowanego pod kątem zasilania pomocniczego dla urządzeń przemysłowych, zmniejsza drastycznie liczbę wymaganych komponentów w porównaniu z konwencjonalnymi konstrukcjami (od 12 elementów, plus radiator do zaledwie pojedynczego układu scalonego w obudowie TO220-6M). Pomaga także zminimalizować ryzyko awarii komponentów oraz ilość zasobów wymaganych do opracowania systemów wykorzystujących tranzystory MOSFET SiC. Ponadto produkty nowej serii umożliwiają poprawę sprawności energetycznej o 5% (i zmniejszenie strat mocy o 28%). Cechy te przekładają się na radykalne zmniejszenie rozmiaru, poprawę niezawodności i wyjątkowe oszczędności energii w zastosowaniach przemysłowych.

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje jako pierwsza w branży 1700V MOSFET typu SiC

ROHM jest zaangażowany w rozwój nie tylko półprzewodników mocy, takich jak urządzenia SiC, ale także układów scalonych do ich kontrolowania, a także w zapewnieniu zoptymalizowanych rozwiązań, które przyczyniają się do większych oszczędności energii i wydajności urządzeń przemysłowych.

1. Osiągnięcie przełomowej miniaturyzacji dzięki zastąpieniu 12 komponentów i radiatora jednym układem

Najnowsze przetwornice AC/DC firmy ROHM zastępują do 12 komponentów (przetwornica AC/DC, 800V Si MOSFET x 2, dioda Zenera x 3, rezystor x 6) i radiator, dzięki pojedynczemu pakietowi TO220-6M, znacznie zmniejszając liczbę wymaganych części zewnętrznych. Ponadto wysoka odporność na zakłócenia napięcia i szumu wewnętrznego tranzystora MOSFET SiC umożliwia zmniejszenie rozmiarów komponentów używanych do tłumienia hałasu.

Zasoby rozwojowe i ryzyko projektowe są znacznie zmniejszone, zapewniając wiele wbudowanych funkcji ochrony umożliwiających osiągnięcie najwyższej niezawodności

Monolityczna konstrukcja redukuje zasoby wymagane do wyboru komponentów i oceny niezawodności dla obwodów zaciskowych i napędowych, minimalizując jednocześnie ryzyko awarii podzespołów i upraszczając prace nad wdrożeniem MOSFET SiC. Ponadto wbudowane są zabezpieczenia przeciążeniowe (FB OLP), ochrona przeciwprzepięciowa pinów napięcia zasilania (VCC OVP) oraz funkcja dokładnego wyłączania termicznego (TSD) (uzyskiwana dzięki wbudowanym tranzystorom MOSFET SiC), a także ponad funkcje ochrony prądowej i wtórnego zabezpieczenia nadnapięciowego. Umożliwia to zastosowanie wielu obwodów zabezpieczających dla przemysłowych zasilaczy, które wymagają ciągłej pracy, co prowadzi do znacznej poprawy niezawodności systemu.

3. Wydajność MOSFET’ów SiC zoptymalizowana jest, aby osiągnąć znacznie lepsze oszczędności energii

Zarówno wewnętrzny MOSFET SiC, jak i wbudowany obwód sterownika bramki zoptymalizowany dla tego MOSFET-u SiC poprawiają sprawność aż o 5% w stosunku do konwencjonalnych tranzystorów MOSFET Si (badanie ROHM z kwietnia 2018 r.). Przyjęto również metodę quasi-rezonansową dla obwodu sterującego, która umożliwia pracę z wyższą wydajnością i niższym poziomem hałasu niż konwencjonalne systemy PWM, minimalizując wpływ hałasu w urządzeniach przemysłowych.

Matching Parts Grade Common Standard ROHM AC/DC Designer FET Controller Type Vin1 (Min.)[V] Vin1 (Max.)[V] Start Circuit [V] SW frequency (Max.)[KHz] Vcc OVP BR PIN On Resistor (MOSFET)[Ω] Operating Temperature (Min.)[°C] Operating Temperature (Max.)[°C] Package
BM2SCQ121T-LBZ NOWOŚĆ Industrial -   SiC-MOSFET Integrated QR 15 27.5 1700 120 Latch - 1.12 -40 105 TO220-6M
BM2SCQ122T-LBZ NOWOŚĆ Industrial -   SiC-MOSFET Integrated QR 15 27.5 1700 120 Latch - 1.12 -40 105 TO220-6M
BM2SCQ123T-LBZ NOWOŚĆ Industrial -   SiC-MOSFET Integrated QR 15 27.5 1700 120 Auto Restart - 1.12 -40 105 TO220-6M
BM2SCQ124T-LBZ NOWOŚĆ Industrial -   SiC-MOSFET Integrated QR 15 27.5 1700 120 Auto Restart - 1.12 -40 105 TO220-6M

Komentarze do artykułu

Pozostałe aktualności:

Zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro firmy Digi International wspiera rozwój wydajnych aplikacji IoT w chmurze

Zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro firmy Digi International wspiera...

Firma Digi International zaprezentowała nowy zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro development kit (CC-WMX8-KIT), umożliwiający...

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje jako pierwsza w branży 1700V MOSFET typu SiC

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje...

Seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM umożliwia osiągnięcie przełomowych oszczędności energii i ułatwia...

Selektor rozwiązań antenowych firmy Poynting

Selektor rozwiązań antenowych firmy Poynting

Firma Poynting, wysoce wyspecjalizowany producent rozwiązań antenowych dla aplikacji IoT oraz M2M, zaprezentowała odświeżony selektor...