Dodano: poniedziałek, 10 czerwca 2019r. Producent: ROHM

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje jako pierwsza w branży 1700V MOSFET typu SiC

Seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM umożliwia osiągnięcie przełomowych oszczędności energii i ułatwia tworzenie wydajnych konstrukcji przetwornic AC/DC, rozwiązując wiele problemów napotykanych przez projektantów przy użyciu standardowych dyskretnych rozwiązań mocy. Zastosowanie w jednym pakiecie tranzystora MOSFET SiC i obwodu sterowania zoptymalizowanego pod kątem zasilania pomocniczego dla urządzeń przemysłowych, zmniejsza drastycznie liczbę wymaganych komponentów w porównaniu z konwencjonalnymi konstrukcjami (od 12 elementów, plus radiator do zaledwie pojedynczego układu scalonego w obudowie TO220-6M). Pomaga także zminimalizować ryzyko awarii komponentów oraz ilość zasobów wymaganych do opracowania systemów wykorzystujących tranzystory MOSFET SiC. Ponadto produkty nowej serii umożliwiają poprawę sprawności energetycznej o 5% (i zmniejszenie strat mocy o 28%). Cechy te przekładają się na radykalne zmniejszenie rozmiaru, poprawę niezawodności i wyjątkowe oszczędności energii w zastosowaniach przemysłowych.

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje jako pierwsza w branży 1700V MOSFET typu SiC

ROHM jest zaangażowany w rozwój nie tylko półprzewodników mocy, takich jak urządzenia SiC, ale także układów scalonych do ich kontrolowania, a także w zapewnieniu zoptymalizowanych rozwiązań, które przyczyniają się do większych oszczędności energii i wydajności urządzeń przemysłowych.

1. Osiągnięcie przełomowej miniaturyzacji dzięki zastąpieniu 12 komponentów i radiatora jednym układem

Najnowsze przetwornice AC/DC firmy ROHM zastępują do 12 komponentów (przetwornica AC/DC, 800V Si MOSFET x 2, dioda Zenera x 3, rezystor x 6) i radiator, dzięki pojedynczemu pakietowi TO220-6M, znacznie zmniejszając liczbę wymaganych części zewnętrznych. Ponadto wysoka odporność na zakłócenia napięcia i szumu wewnętrznego tranzystora MOSFET SiC umożliwia zmniejszenie rozmiarów komponentów używanych do tłumienia hałasu.

Zasoby rozwojowe i ryzyko projektowe są znacznie zmniejszone, zapewniając wiele wbudowanych funkcji ochrony umożliwiających osiągnięcie najwyższej niezawodności

Monolityczna konstrukcja redukuje zasoby wymagane do wyboru komponentów i oceny niezawodności dla obwodów zaciskowych i napędowych, minimalizując jednocześnie ryzyko awarii podzespołów i upraszczając prace nad wdrożeniem MOSFET SiC. Ponadto wbudowane są zabezpieczenia przeciążeniowe (FB OLP), ochrona przeciwprzepięciowa pinów napięcia zasilania (VCC OVP) oraz funkcja dokładnego wyłączania termicznego (TSD) (uzyskiwana dzięki wbudowanym tranzystorom MOSFET SiC), a także ponad funkcje ochrony prądowej i wtórnego zabezpieczenia nadnapięciowego. Umożliwia to zastosowanie wielu obwodów zabezpieczających dla przemysłowych zasilaczy, które wymagają ciągłej pracy, co prowadzi do znacznej poprawy niezawodności systemu.

3. Wydajność MOSFET’ów SiC zoptymalizowana jest, aby osiągnąć znacznie lepsze oszczędności energii

Zarówno wewnętrzny MOSFET SiC, jak i wbudowany obwód sterownika bramki zoptymalizowany dla tego MOSFET-u SiC poprawiają sprawność aż o 5% w stosunku do konwencjonalnych tranzystorów MOSFET Si (badanie ROHM z kwietnia 2018 r.). Przyjęto również metodę quasi-rezonansową dla obwodu sterującego, która umożliwia pracę z wyższą wydajnością i niższym poziomem hałasu niż konwencjonalne systemy PWM, minimalizując wpływ hałasu w urządzeniach przemysłowych.

Matching PartsGradeCommon StandardROHM AC/DC DesignerFETController TypeVin1 (Min.)[V]Vin1 (Max.)[V]Start Circuit [V]SW frequency (Max.)[KHz]Vcc OVPBR PINOn Resistor (MOSFET)[Ω]Operating Temperature (Min.)[°C]Operating Temperature (Max.)[°C]Package
BM2SCQ121T-LBZ NOWOŚĆIndustrial- SiC-MOSFET IntegratedQR1527.51700120Latch-1.12-40105TO220-6M
BM2SCQ122T-LBZ NOWOŚĆIndustrial- SiC-MOSFET IntegratedQR1527.51700120Latch-1.12-40105TO220-6M
BM2SCQ123T-LBZ NOWOŚĆIndustrial- SiC-MOSFET IntegratedQR1527.51700120Auto Restart-1.12-40105TO220-6M
BM2SCQ124T-LBZ NOWOŚĆIndustrial- SiC-MOSFET IntegratedQR1527.51700120Auto Restart-1.12-40105TO220-6M

Pozostałe aktualności:

EMS-ARH bezwentylatorowy komputer firmy Avalue z akceleracją AI dzięki procesorom Intel® Arrow Lake-H Core™ Ultra 7/5 oraz Intel® Arc™ GPU

EMS-ARH bezwentylatorowy komputer firmy Avalue z akceleracją AI dzięki...

Firma Avalue Technology, światowy lider w dziedzinie rozwiązań do obliczeń przemysłowych, zaprezentował nowy,...

środa, 27 sierpnia, 2025 Więcej

Profil TSN dla lotnictwa i kosmonautyki: Konwergencja danych w czasie rzeczywistym i sieci sterowania w kosmosie

Profil TSN dla lotnictwa i kosmonautyki: Konwergencja danych w czasie...

Nowe procesory PIC64-HPSC firmy Microchip reprezentują kolejną generację wysokowydajnych komputerów kosmicznych,...

wtorek, 26 sierpnia, 2025 Więcej

Komputery panelowe APC-WR6 z systemem Android usprawniają działanie aplikacji samoobsługowych

Komputery panelowe APC-WR6 z systemem Android usprawniają działanie...

Seria APC-WR6 charakteryzuje się elegancką, całkowicie białą obudową z ultracienką ramką, która zapewnia ekskluzywny...

poniedziałek, 25 sierpnia, 2025 Więcej

Power Integrations wprowadza na rynek zestaw referencyjny RDK-85SLR dla pojazdów zasilanych energią słoneczną

Power Integrations wprowadza na rynek zestaw referencyjny RDK-85SLR dla...

Zestaw RDK-85SLR zawiera układ scalony PI™ InnoSwitch™3-AQ, który wykorzystuje technologię przełączania azotku galu...

piątek, 22 sierpnia, 2025 Więcej

Nowa rodzina buforów zegarowych SKY53510/80/40 została zaprojektowana specjalnie dla centrów danych, sieci bezprzewodowych i aplikacji PCIe Gen 7

Nowa rodzina buforów zegarowych SKY53510/80/40 została zaprojektowana...

Rodzina SKY53510/80/40 oferuje skalowalne rozwiązanie bufora zegara o niskim jitterze, które upraszcza projektowanie...

czwartek, 21 sierpnia, 2025 Więcej

Gamma na TEK.day 2025 w Gdańsku

Gamma na TEK.day 2025 w Gdańsku

TEK.day to jednodniowe wydarzenie, dedykowane dla osób profesjonalnie związanych z projektowaniem i produkcją...

środa, 20 sierpnia, 2025 Więcej