Dodano: środa, 22 maj 2019r. Producent: ROHM Komentarzy: (dodaj komentarz)

Tranzystory IGBT klasy motoryzacyjnej AEC-Q101 o napięciu 1200V firmy ROHM

Firma ROHM zaprezentowała cztery nowe tranzystory IGBT klasy motoryzacyjnej o napięciu 1200V, które są idealnym wyborem m.in. dla inwerterów stosowanych w sprężarkach elektronicznych oraz dla obwodów przełączających stosowanych w grzejnikach o dodatnim współczynnikiem temperaturowym (PTC). Nowa seria RGS reprezentuje dużą gamę tranzystorów IGBT firmy ROHM zgodnych z normą AEC-Q101 w wersjach o znamionowym napięciu 1200V i 650V. Seria ta zapewnia wiodącą w klasie niską stratę przewodzenia, która przyczynia się do zmniejszenia rozmiaru i poprawy sprawności aplikacji.

Zwiększenie liczby pojazdów elektrycznych zwiększa również zapotrzebowanie na sprężarki elektryczne często sterowanymi przez IGBT. Pojazdy z silnikiem spalinowym wykorzystywały ciepło rozpraszane przez same silniki jako źródło do ogrzewania kabiny. Jednak zapotrzebowanie na systemy wykorzystujące obieg ciepłej wody z podgrzewaczem PTC jako źródłem ciepła wzrasta. IGBT działające z niską częstotliwością są powszechnie stosowane w falownikach i przełącznikach do tych zastosowań. Zwłaszcza w pojazdach elektrycznych zużycie energii przez sprężarkę i grzejnik wpływa na zasięg jazdy, dlatego pożądane jest osiągnięcie jeszcze lepszej sprawności energetycznej.

Tranzystory IGBT ROHM

Kolejnym trendem na rynku pojazdów elektrycznych jest zwiększenie pojemności akumulatora w celu poprawy zasięgu jazdy. Szczególnie w Europie akumulatory o wyższym napięciu (800V) wymagają urządzeń zasilających charakteryzujących się niskimi stratami i wyższymi napięciami wytrzymywanymi, co zwiększa zapotrzebowanie na tranzystory IGBT o napięciu znamionowym 650V i 1200V.

W odpowiedzi na nowe zapotrzebowanie rynku, firma ROHM dodała cztery nowe urządzenia IGBT o napięciu 1200V i rozszerzyła tym samym swoją ofertę IGBT o tranzystory zgodne z normą motoryzacyjna AEC-Q101. Te wiodące w klasie układy IGBT o niskiej utracie przewodzenia, pozwalają na tworzenie kompaktowych i wysoce wydajnych konstrukcji. Urządzenia o napięciu znamionowym 1200V charakteryzujące się odpornością na 10 μsec (Tj = 25ºC) zwarcie zapewniają również niezawodność w zastosowaniach motoryzacyjnych.

Lineup

ModelSpecyfikacjaWbudowana diodaObudowaKwalifikacja AEC-Q101
VCES [V] IC @100ºC [A] VCE(sat) typ. [V]
RGS50TSX2DHR NOWOŚĆ 1200 25 1.70 Tak TO-247N Tak
RGS50TSX2HR NOWOŚĆ
RGS80TSX2DHR NOWOŚĆ 40 Tak
RGS80TSX2HR NOWOŚĆ
RGS30TSX2DHR◊ 15 Tak
RGS30TSX2HR◊
RGS60TS65DHR 650 30 1.65 Tak
RGS60TS65HR NOWOŚĆ
RGS80TS65DHR 40 Tak
RGS80TS65HR NOWOŚĆ
RGS00TS65DHR 50 Tak
RGS00TS65HR NOWOŚĆ
RGS00TS65EHR Tak

Komentarze do artykułu

Pozostałe aktualności:

Zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro firmy Digi International wspiera rozwój wydajnych aplikacji IoT w chmurze

Zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro firmy Digi International wspiera...

Firma Digi International zaprezentowała nowy zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro development kit (CC-WMX8-KIT), umożliwiający...

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje jako pierwsza w branży 1700V MOSFET typu SiC

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje...

Seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM umożliwia osiągnięcie przełomowych oszczędności energii i ułatwia...

Selektor rozwiązań antenowych firmy Poynting

Selektor rozwiązań antenowych firmy Poynting

Firma Poynting, wysoce wyspecjalizowany producent rozwiązań antenowych dla aplikacji IoT oraz M2M, zaprezentowała odświeżony selektor...