Dodano: poniedziałek, 11 lipiec 2016r. Producent: ROHM Komentarzy: 0 (dodaj komentarz)

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

Korporacja ROHM zaprezentowała nową serię 1700V MOSFET'ów w technologii SiC zoptymalizowanych do zastosowań przemysłowych, w tym urządzeń produkcyjnych oraz wysokiego napięcia przetwornic ogólnego przeznaczenia.

W ostatnich latach, rosnąca tendencja do oszczędzania energii we wszystkich obszarach spowodowała wzrost popytu na energooszczędne półprzewodniki mocy, zwłaszcza dla zastosowań w sektorze przemysłowym, takich jak przetwornic ogólnego przeznaczenia oraz wyposażenia produkcyjnego. W większości pomocniczych źródeł zasilania, które są wykorzystywane w celu zapewnienia napięcia dla obwodów zasilających, układów sterujących i różnych systemów uzupełniających, wysokie napięcie przebicia (1000V+) krzemowych tranzystorów MOSFET jest zwykle wykorzystywana. Jednakże MOSFETy wysokiego napięcia cierpią z powodu dużych strat przewodzenia - często prowadzącego do nadmiernego wytwarzania ciepła, stwarzając problemy związane z obszarem mocowania oraz z dużą liczbą elementów zewnętrznych, co utrudnia zmniejszenie rozmiaru systemu. W odpowiedzi na te problemy korporacja ROHM opracowała niskostratne tranzystory SiC MOSFET oraz układy scalone, które maksymalizują wydajność, przyczyniając się jednocześnie do miniaturyzacji produktów końcowych.

SCT2H12NZ

 

P/N

Obudowa

Polaryzacja

VDSS

ID

PD
(Tc=25oC)

RDS(on)
VGS=18V

QG
VGS=18V

NOWOŚĆSCT2H12NZTO-3PFMNch1700V3.7A35W1.15?(typ.)14nC (typ.)
W fazie projektowaniaSCT2H12NYTO-268-2L
(montaż powierzchniowy)
4A44W
W fazie projektowaniaSCT2750NY5.9A57W0.75? (typ.)17nC (typ.)

Układ SCT2H12NZ zapewnia wysokie napięcie przebicia wymagane dla dodatkowych zasilaczy w urządzeniach przemysłowych. Straty przewodzenia zmniejszone są aż 8 raz w porównaniu do tradycyjnych krzemowych tranzystorów MOSFET, przyczyniając się do zwiększenia efektywności energetycznej. W połączeniu z kontrolerem przetwornic AC/DC firmy ROHM zaprojektowanym specjalnie dla kontroli MOSFET’ów SiC (BD7682FJ-LB) pozwoli zmaksymalizować wydajność i poprawić wydajność nawet o 6%. Pozwala to na zmniejszenie ilości dodatkowych elementów obwodowych, powodując zwiększenie miniaturyzacji.

Prezentacja

Więcej informacji o układze SCT2H12NZ mogą Państwo uzyskać w załączonej dokumentacji technicznej.

Komentarze do artykułu

Pozostałe aktualności:

Gamma dystrybutorem firmy Kerlink, producenta rozwiązań M2M oraz IoT dla łączenia zdalnych aplikacji za pomocą rozległych sieci LoRaWAN

Gamma dystrybutorem firmy Kerlink, producenta rozwiązań M2M oraz IoT dla łączenia...

Mamy przyjemność poinformować, że do grona naszych dostawców dołączyła firma Kerlink, producent rozwiązań M2M oraz IoT dla łączenia...

Wydajne przetwornice DC-DC firmy XP Power dla aplikacji taboru kolejowego EN50155

Wydajne przetwornice DC-DC firmy XP Power dla aplikacji taboru kolejowego EN50155

Firma XP Power zaprezentowała nową, obszerną rodzinę ekonomicznych przetwornic DC-DC o dużej gęstości mocy, przeznaczoną dla aplikacji...

Rozwiązania Automotive Ethernet 100/1000BASE-T1 firmy Pulse Electronics ze zgodnością AEC-Q200 oraz IATF 16949

Rozwiązania Automotive Ethernet 100/1000BASE-T1 firmy Pulse Electronics ze...

Branża elektroniki motoryzacyjnej rośnie, a wraz z potrzebą zwiększenia przepustowości firma Pulse Electronics opracowała takie...