Dodano: poniedziałek, 11 lipiec 2016r. Producent: ROHM Komentarzy: 0 (dodaj komentarz)

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

Korporacja ROHM zaprezentowała nową serię 1700V MOSFET'ów w technologii SiC zoptymalizowanych do zastosowań przemysłowych, w tym urządzeń produkcyjnych oraz wysokiego napięcia przetwornic ogólnego przeznaczenia.

W ostatnich latach, rosnąca tendencja do oszczędzania energii we wszystkich obszarach spowodowała wzrost popytu na energooszczędne półprzewodniki mocy, zwłaszcza dla zastosowań w sektorze przemysłowym, takich jak przetwornic ogólnego przeznaczenia oraz wyposażenia produkcyjnego. W większości pomocniczych źródeł zasilania, które są wykorzystywane w celu zapewnienia napięcia dla obwodów zasilających, układów sterujących i różnych systemów uzupełniających, wysokie napięcie przebicia (1000V+) krzemowych tranzystorów MOSFET jest zwykle wykorzystywana. Jednakże MOSFETy wysokiego napięcia cierpią z powodu dużych strat przewodzenia - często prowadzącego do nadmiernego wytwarzania ciepła, stwarzając problemy związane z obszarem mocowania oraz z dużą liczbą elementów zewnętrznych, co utrudnia zmniejszenie rozmiaru systemu. W odpowiedzi na te problemy korporacja ROHM opracowała niskostratne tranzystory SiC MOSFET oraz układy scalone, które maksymalizują wydajność, przyczyniając się jednocześnie do miniaturyzacji produktów końcowych.

SCT2H12NZ

 

P/N

Obudowa

Polaryzacja

VDSS

ID

PD
(Tc=25oC)

RDS(on)
VGS=18V

QG
VGS=18V

NOWOŚĆSCT2H12NZTO-3PFMNch1700V3.7A35W1.15?(typ.)14nC (typ.)
W fazie projektowaniaSCT2H12NYTO-268-2L
(montaż powierzchniowy)
4A44W
W fazie projektowaniaSCT2750NY5.9A57W0.75? (typ.)17nC (typ.)

Układ SCT2H12NZ zapewnia wysokie napięcie przebicia wymagane dla dodatkowych zasilaczy w urządzeniach przemysłowych. Straty przewodzenia zmniejszone są aż 8 raz w porównaniu do tradycyjnych krzemowych tranzystorów MOSFET, przyczyniając się do zwiększenia efektywności energetycznej. W połączeniu z kontrolerem przetwornic AC/DC firmy ROHM zaprojektowanym specjalnie dla kontroli MOSFET’ów SiC (BD7682FJ-LB) pozwoli zmaksymalizować wydajność i poprawić wydajność nawet o 6%. Pozwala to na zmniejszenie ilości dodatkowych elementów obwodowych, powodując zwiększenie miniaturyzacji.

Prezentacja

Więcej informacji o układze SCT2H12NZ mogą Państwo uzyskać w załączonej dokumentacji technicznej.

Komentarze do artykułu

Pozostałe aktualności:

VCE03 i VCE10 nowe serie miniaturowych 3 i 10W zasilaczy firmy XP Power dla aplikacji IoT, IT oraz gospodarstwa domowego

VCE03 i VCE10 nowe serie miniaturowych 3 i 10W zasilaczy firmy XP Power dla...

Firma XP Power zaprezentowała nowe, energooszczędne zasilacze AC-DC z serii VCE03 i VCE10, dostępne w zamkniętej lub otwartej opcji...

Kerlink Wirnet iBTS, solidna, wydajna oraz wysoce skalowalna, zewnętrzna brama LoRaWAN dla inteligentnych sieci IoT

Kerlink Wirnet iBTS, solidna, wydajna oraz wysoce skalowalna, zewnętrzna brama...

Wirnet iBTS firmy Kerlink jest solidną, wydajną oraz wysoce skalowalną, zewnętrzną bramą LoRaWAN na dla inteligentnej sieci IoT. Bramka...

Digi TransPort® WR64 router komórkowy LTE-Advanced dla aplikacji transportu publicznego

Digi TransPort® WR64 router komórkowy LTE-Advanced dla aplikacji transportu...

Digi TransPort® WR64 to w pełni redundantny router komórkowy z obsługą LTE-Advanced z bogatymi opcjami routingu, zabezpieczeń, zaporą...