Dodano: poniedziałek, 11 lipca 2016r. Producent: ROHM

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

Korporacja ROHM zaprezentowała nową serię 1700V MOSFET'ów w technologii SiC zoptymalizowanych do zastosowań przemysłowych, w tym urządzeń produkcyjnych oraz wysokiego napięcia przetwornic ogólnego przeznaczenia.

W ostatnich latach, rosnąca tendencja do oszczędzania energii we wszystkich obszarach spowodowała wzrost popytu na energooszczędne półprzewodniki mocy, zwłaszcza dla zastosowań w sektorze przemysłowym, takich jak przetwornic ogólnego przeznaczenia oraz wyposażenia produkcyjnego. W większości pomocniczych źródeł zasilania, które są wykorzystywane w celu zapewnienia napięcia dla obwodów zasilających, układów sterujących i różnych systemów uzupełniających, wysokie napięcie przebicia (1000V+) krzemowych tranzystorów MOSFET jest zwykle wykorzystywana. Jednakże MOSFETy wysokiego napięcia cierpią z powodu dużych strat przewodzenia - często prowadzącego do nadmiernego wytwarzania ciepła, stwarzając problemy związane z obszarem mocowania oraz z dużą liczbą elementów zewnętrznych, co utrudnia zmniejszenie rozmiaru systemu. W odpowiedzi na te problemy korporacja ROHM opracowała niskostratne tranzystory SiC MOSFET oraz układy scalone, które maksymalizują wydajność, przyczyniając się jednocześnie do miniaturyzacji produktów końcowych.

SCT2H12NZ

 

P/N

Obudowa

Polaryzacja

VDSS

ID

PD
(Tc=25oC)

RDS(on)
VGS=18V

QG
VGS=18V

NOWOŚĆSCT2H12NZTO-3PFMNch1700V3.7A35W1.15?(typ.)14nC (typ.)
W fazie projektowaniaSCT2H12NYTO-268-2L
(montaż powierzchniowy)
4A44W
W fazie projektowaniaSCT2750NY5.9A57W0.75? (typ.)17nC (typ.)

Układ SCT2H12NZ zapewnia wysokie napięcie przebicia wymagane dla dodatkowych zasilaczy w urządzeniach przemysłowych. Straty przewodzenia zmniejszone są aż 8 raz w porównaniu do tradycyjnych krzemowych tranzystorów MOSFET, przyczyniając się do zwiększenia efektywności energetycznej. W połączeniu z kontrolerem przetwornic AC/DC firmy ROHM zaprojektowanym specjalnie dla kontroli MOSFET’ów SiC (BD7682FJ-LB) pozwoli zmaksymalizować wydajność i poprawić wydajność nawet o 6%. Pozwala to na zmniejszenie ilości dodatkowych elementów obwodowych, powodując zwiększenie miniaturyzacji.

Prezentacja

Więcej informacji o układze SCT2H12NZ mogą Państwo uzyskać w załączonej dokumentacji technicznej.

Pozostałe aktualności:

EMS-ARH bezwentylatorowy komputer firmy Avalue z akceleracją AI dzięki procesorom Intel® Arrow Lake-H Core™ Ultra 7/5 oraz Intel® Arc™ GPU

EMS-ARH bezwentylatorowy komputer firmy Avalue z akceleracją AI dzięki...

Firma Avalue Technology, światowy lider w dziedzinie rozwiązań do obliczeń przemysłowych, zaprezentował nowy,...

środa, 27 sierpnia, 2025 Więcej

Profil TSN dla lotnictwa i kosmonautyki: Konwergencja danych w czasie rzeczywistym i sieci sterowania w kosmosie

Profil TSN dla lotnictwa i kosmonautyki: Konwergencja danych w czasie...

Nowe procesory PIC64-HPSC firmy Microchip reprezentują kolejną generację wysokowydajnych komputerów kosmicznych,...

wtorek, 26 sierpnia, 2025 Więcej

Komputery panelowe APC-WR6 z systemem Android usprawniają działanie aplikacji samoobsługowych

Komputery panelowe APC-WR6 z systemem Android usprawniają działanie...

Seria APC-WR6 charakteryzuje się elegancką, całkowicie białą obudową z ultracienką ramką, która zapewnia ekskluzywny...

poniedziałek, 25 sierpnia, 2025 Więcej

Power Integrations wprowadza na rynek zestaw referencyjny RDK-85SLR dla pojazdów zasilanych energią słoneczną

Power Integrations wprowadza na rynek zestaw referencyjny RDK-85SLR dla...

Zestaw RDK-85SLR zawiera układ scalony PI™ InnoSwitch™3-AQ, który wykorzystuje technologię przełączania azotku galu...

piątek, 22 sierpnia, 2025 Więcej

Nowa rodzina buforów zegarowych SKY53510/80/40 została zaprojektowana specjalnie dla centrów danych, sieci bezprzewodowych i aplikacji PCIe Gen 7

Nowa rodzina buforów zegarowych SKY53510/80/40 została zaprojektowana...

Rodzina SKY53510/80/40 oferuje skalowalne rozwiązanie bufora zegara o niskim jitterze, które upraszcza projektowanie...

czwartek, 21 sierpnia, 2025 Więcej

Gamma na TEK.day 2025 w Gdańsku

Gamma na TEK.day 2025 w Gdańsku

TEK.day to jednodniowe wydarzenie, dedykowane dla osób profesjonalnie związanych z projektowaniem i produkcją...

środa, 20 sierpnia, 2025 Więcej