Dodano: poniedziałek, 11 lipiec 2016r. Producent: ROHM Komentarzy: (dodaj komentarz)

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

Korporacja ROHM zaprezentowała nową serię 1700V MOSFET'ów w technologii SiC zoptymalizowanych do zastosowań przemysłowych, w tym urządzeń produkcyjnych oraz wysokiego napięcia przetwornic ogólnego przeznaczenia.

W ostatnich latach, rosnąca tendencja do oszczędzania energii we wszystkich obszarach spowodowała wzrost popytu na energooszczędne półprzewodniki mocy, zwłaszcza dla zastosowań w sektorze przemysłowym, takich jak przetwornic ogólnego przeznaczenia oraz wyposażenia produkcyjnego. W większości pomocniczych źródeł zasilania, które są wykorzystywane w celu zapewnienia napięcia dla obwodów zasilających, układów sterujących i różnych systemów uzupełniających, wysokie napięcie przebicia (1000V+) krzemowych tranzystorów MOSFET jest zwykle wykorzystywana. Jednakże MOSFETy wysokiego napięcia cierpią z powodu dużych strat przewodzenia - często prowadzącego do nadmiernego wytwarzania ciepła, stwarzając problemy związane z obszarem mocowania oraz z dużą liczbą elementów zewnętrznych, co utrudnia zmniejszenie rozmiaru systemu. W odpowiedzi na te problemy korporacja ROHM opracowała niskostratne tranzystory SiC MOSFET oraz układy scalone, które maksymalizują wydajność, przyczyniając się jednocześnie do miniaturyzacji produktów końcowych.

SCT2H12NZ

 

P/N

Obudowa

Polaryzacja

VDSS

ID

PD
(Tc=25oC)

RDS(on)
VGS=18V

QG
VGS=18V

NOWOŚĆ SCT2H12NZ TO-3PFM Nch 1700V 3.7A 35W 1.15?(typ.) 14nC (typ.)
W fazie projektowania SCT2H12NY TO-268-2L
(montaż powierzchniowy)
4A 44W
W fazie projektowania SCT2750NY 5.9A 57W 0.75? (typ.) 17nC (typ.)

Układ SCT2H12NZ zapewnia wysokie napięcie przebicia wymagane dla dodatkowych zasilaczy w urządzeniach przemysłowych. Straty przewodzenia zmniejszone są aż 8 raz w porównaniu do tradycyjnych krzemowych tranzystorów MOSFET, przyczyniając się do zwiększenia efektywności energetycznej. W połączeniu z kontrolerem przetwornic AC/DC firmy ROHM zaprojektowanym specjalnie dla kontroli MOSFET’ów SiC (BD7682FJ-LB) pozwoli zmaksymalizować wydajność i poprawić wydajność nawet o 6%. Pozwala to na zmniejszenie ilości dodatkowych elementów obwodowych, powodując zwiększenie miniaturyzacji.

Prezentacja

Więcej informacji o układze SCT2H12NZ mogą Państwo uzyskać w załączonej dokumentacji technicznej.

Komentarze do artykułu

Pozostałe aktualności:

Zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro firmy Digi International wspiera rozwój wydajnych aplikacji IoT w chmurze

Zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro firmy Digi International wspiera...

Firma Digi International zaprezentowała nowy zestaw deweloperski Digi ConnectCore 8X SBC Pro development kit (CC-WMX8-KIT), umożliwiający...

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje jako pierwsza w branży 1700V MOSFET typu SiC

Nowa seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM integruje...

Seria quasi-rezonansowych przetwornic BM2SCQ12xT-LBZ firmy ROHM umożliwia osiągnięcie przełomowych oszczędności energii i ułatwia...

Selektor rozwiązań antenowych firmy Poynting

Selektor rozwiązań antenowych firmy Poynting

Firma Poynting, wysoce wyspecjalizowany producent rozwiązań antenowych dla aplikacji IoT oraz M2M, zaprezentowała odświeżony selektor...