Dodano: poniedziałek, 11 lipiec 2016r. Producent: ROHM Komentarzy: (dodaj komentarz)

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

Korporacja ROHM zaprezentowała nową serię 1700V MOSFET'ów w technologii SiC zoptymalizowanych do zastosowań przemysłowych, w tym urządzeń produkcyjnych oraz wysokiego napięcia przetwornic ogólnego przeznaczenia.

W ostatnich latach, rosnąca tendencja do oszczędzania energii we wszystkich obszarach spowodowała wzrost popytu na energooszczędne półprzewodniki mocy, zwłaszcza dla zastosowań w sektorze przemysłowym, takich jak przetwornic ogólnego przeznaczenia oraz wyposażenia produkcyjnego. W większości pomocniczych źródeł zasilania, które są wykorzystywane w celu zapewnienia napięcia dla obwodów zasilających, układów sterujących i różnych systemów uzupełniających, wysokie napięcie przebicia (1000V+) krzemowych tranzystorów MOSFET jest zwykle wykorzystywana. Jednakże MOSFETy wysokiego napięcia cierpią z powodu dużych strat przewodzenia - często prowadzącego do nadmiernego wytwarzania ciepła, stwarzając problemy związane z obszarem mocowania oraz z dużą liczbą elementów zewnętrznych, co utrudnia zmniejszenie rozmiaru systemu. W odpowiedzi na te problemy korporacja ROHM opracowała niskostratne tranzystory SiC MOSFET oraz układy scalone, które maksymalizują wydajność, przyczyniając się jednocześnie do miniaturyzacji produktów końcowych.

SCT2H12NZ

 

P/N

Obudowa

Polaryzacja

VDSS

ID

PD
(Tc=25oC)

RDS(on)
VGS=18V

QG
VGS=18V

NOWOŚĆ SCT2H12NZ TO-3PFM Nch 1700V 3.7A 35W 1.15?(typ.) 14nC (typ.)
W fazie projektowania SCT2H12NY TO-268-2L
(montaż powierzchniowy)
4A 44W
W fazie projektowania SCT2750NY 5.9A 57W 0.75? (typ.) 17nC (typ.)

Układ SCT2H12NZ zapewnia wysokie napięcie przebicia wymagane dla dodatkowych zasilaczy w urządzeniach przemysłowych. Straty przewodzenia zmniejszone są aż 8 raz w porównaniu do tradycyjnych krzemowych tranzystorów MOSFET, przyczyniając się do zwiększenia efektywności energetycznej. W połączeniu z kontrolerem przetwornic AC/DC firmy ROHM zaprojektowanym specjalnie dla kontroli MOSFET’ów SiC (BD7682FJ-LB) pozwoli zmaksymalizować wydajność i poprawić wydajność nawet o 6%. Pozwala to na zmniejszenie ilości dodatkowych elementów obwodowych, powodując zwiększenie miniaturyzacji.

Prezentacja

Więcej informacji o układze SCT2H12NZ mogą Państwo uzyskać w załączonej dokumentacji technicznej.

Komentarze do artykułu

Pozostałe aktualności:

AnywhereUSB® Plus koncentratory USB over IP firmy Digi International z obsługą USB 3.1 Gen 1

AnywhereUSB® Plus koncentratory USB over IP firmy Digi International z obsługą USB...

Firma Digi International zaprezentowała długo oczekiwaną aktualizację swoich uznanych koncentratorów USB over IP AnywhereUSB® Plus,...

Microchip MPLAB® Harmony w wersji 3.0 dodaje obsługę 32-bitowych mikrokontrolerów SAM oraz PIC32

Microchip MPLAB® Harmony w wersji 3.0 dodaje obsługę 32-bitowych mikrokontrolerów...

Aby pomóc programistom w uproszczeniu i skalowaniu swoich projektów, firma Microchip Technology Inc. zaprezentowała zunifikowaną...

Panelowy, bezwentylatorowy komputer PC APC-1733 firmy Avalue dla aplikacji HMI na rynkach medycznych, administracji publicznej i punktów samoobsługowy

Panelowy, bezwentylatorowy komputer PC APC-1733 firmy Avalue dla aplikacji HMI na...

17,3-calowy panelowy komputer APC-1733 firmy Avalue wyróżnia się bezwentylatorową pracą, niskim zużyciem energii, cienką, lekką i...