Dodano: poniedziałek, 11 lipiec 2016r. Producent: ROHM

SCT2H12NZ nowy niskostratny MOSFET SiC firmy ROHM przeznaczony na rynek aplikacji przemysłowych

Korporacja ROHM zaprezentowała nową serię 1700V MOSFET'ów w technologii SiC zoptymalizowanych do zastosowań przemysłowych, w tym urządzeń produkcyjnych oraz wysokiego napięcia przetwornic ogólnego przeznaczenia.

W ostatnich latach, rosnąca tendencja do oszczędzania energii we wszystkich obszarach spowodowała wzrost popytu na energooszczędne półprzewodniki mocy, zwłaszcza dla zastosowań w sektorze przemysłowym, takich jak przetwornic ogólnego przeznaczenia oraz wyposażenia produkcyjnego. W większości pomocniczych źródeł zasilania, które są wykorzystywane w celu zapewnienia napięcia dla obwodów zasilających, układów sterujących i różnych systemów uzupełniających, wysokie napięcie przebicia (1000V+) krzemowych tranzystorów MOSFET jest zwykle wykorzystywana. Jednakże MOSFETy wysokiego napięcia cierpią z powodu dużych strat przewodzenia - często prowadzącego do nadmiernego wytwarzania ciepła, stwarzając problemy związane z obszarem mocowania oraz z dużą liczbą elementów zewnętrznych, co utrudnia zmniejszenie rozmiaru systemu. W odpowiedzi na te problemy korporacja ROHM opracowała niskostratne tranzystory SiC MOSFET oraz układy scalone, które maksymalizują wydajność, przyczyniając się jednocześnie do miniaturyzacji produktów końcowych.

SCT2H12NZ

 

P/N

Obudowa

Polaryzacja

VDSS

ID

PD
(Tc=25oC)

RDS(on)
VGS=18V

QG
VGS=18V

NOWOŚĆSCT2H12NZTO-3PFMNch1700V3.7A35W1.15?(typ.)14nC (typ.)
W fazie projektowaniaSCT2H12NYTO-268-2L
(montaż powierzchniowy)
4A44W
W fazie projektowaniaSCT2750NY5.9A57W0.75? (typ.)17nC (typ.)

Układ SCT2H12NZ zapewnia wysokie napięcie przebicia wymagane dla dodatkowych zasilaczy w urządzeniach przemysłowych. Straty przewodzenia zmniejszone są aż 8 raz w porównaniu do tradycyjnych krzemowych tranzystorów MOSFET, przyczyniając się do zwiększenia efektywności energetycznej. W połączeniu z kontrolerem przetwornic AC/DC firmy ROHM zaprojektowanym specjalnie dla kontroli MOSFET’ów SiC (BD7682FJ-LB) pozwoli zmaksymalizować wydajność i poprawić wydajność nawet o 6%. Pozwala to na zmniejszenie ilości dodatkowych elementów obwodowych, powodując zwiększenie miniaturyzacji.

Prezentacja

Więcej informacji o układze SCT2H12NZ mogą Państwo uzyskać w załączonej dokumentacji technicznej.

Pozostałe aktualności:

Digi ConnectCore® MP157 (CC-WMP157-KIT) zestaw rozwojowy dla połączonych aplikacji IoT dla rynków przemysłowych i medycznych

Digi ConnectCore® MP157 (CC-WMP157-KIT) zestaw rozwojowy dla połączonych aplikacji...

Digi ConnectCore MP157 Development Kit to pierwszy na świecie połączony zestaw rozwojowy z funkcjami zdalnymi. Zbudowany na bazie mikroprocesora...

piątek, 27 styczeń, 2023 Więcej

N11 miniaturowy moduł komunikacyjny GSM/GPRS firmy Neoway

N11 miniaturowy moduł komunikacyjny GSM/GPRS firmy Neoway

N11 firmy Neoway to energooszczędny, miniaturowych rozmiarów, wydajny moduł GSM/GPRS. Zaletą tego modelu są bardzo małe wymiary zewnętrzne...

wtorek, 24 styczeń, 2023 Więcej

Nowe rozwiązanie All-in-One Hybrid Power Drive firmy Microchip dla zastosowań w aplikacjach zelektryfikowanych pojazdów latających

Nowe rozwiązanie All-in-One Hybrid Power Drive firmy Microchip dla zastosowań w...

Wychodząc naprzeciw zapotrzebowaniu na zintegrowane i konfigurowalne rozwiązanie zasilania dla zastosowań lotniczych, firma Microchip Technology...

poniedziałek, 23 styczeń, 2023 Więcej

MIC69303RT odporny na promieniowanie regulator napięcia LDO firmy Microchip dla aplikacji regionu niskiej orbity okołoziemskiej (LEO)

MIC69303RT odporny na promieniowanie regulator napięcia LDO firmy Microchip dla...

Firma Microchip Technology Inc. ogłosiła wprowadzenie na rynek swojego pierwszego komercyjnego (COTS), odpornego na promieniowanie regulator...

środa, 18 styczeń, 2023 Więcej

N75 moduł komunikacyjny LTE CAT 4 + GNSS firmy Neoway

N75 moduł komunikacyjny LTE CAT 4 + GNSS firmy Neoway

N75 to moduł LTE Cat.4 firmy Neoway pracujący na chipsecie Qualcomm, opracowany specjalnie do zastosowań M2M i IoT. Korzystając z technologii 3GPP...

wtorek, 17 styczeń, 2023 Więcej

Cewki indukcyjne TLVR z podwójnym uzwojeniem firmy Pulse do zasilania wysokowydajnych aplikacji, od 100nH do 180nH

Cewki indukcyjne TLVR z podwójnym uzwojeniem firmy Pulse do zasilania...

Pulse stale poszerza ofertę cewek indukcyjnych stosowanych do zasilania procesorów, pamięci, układów FPGA i ASIC w serwerach, centrach danych i...

czwartek, 12 styczeń, 2023 Więcej