Druga generacja układów Power MOSFET z SBD w technologii SiC firmy ROHM

SCH2080KE firmy ROHM Semiconductor jest drugiej generacji MOSFET'em mocy wysokiego napięcia (1200 V) wykonanym w nowej technologii SiC (węglika krzemu), przeznaczonym dla m.in. przetwornic klimatyzatorów i konwerterów w urządzeniach przemysłowych, energetycznych oraz dla aplikacji fotowoltaicznych. Nowy MOSFET charakteryzuje się niskimi stratami mocy oraz wysoką niezawodnością, zmniejszając zużycie energii i umożliwiając wsparcie dla mniejszych elementów peryferyjnych. SCH2080KE jest pierwszym na rynku MOSFET'em mocy bazującym na technologii SiC skutecznie integrującym diodę Schottky w jednym pakiecie. Napięcie przewodzenia (VF) jest zmniejszone o 70% lub więcej, dla zmniejszenia strat energii i mniejszej ilości wymaganych komponentów.

ROHM zintegrował w układzie MOSFET'u diodę Schottky, która wcześniej musiała być zamontowana na zewnątrz, w tym samym opakowaniu przy użyciu opatentowanej technologii montażu, minimalizując napięcie przewodzenia, które było problematyczne w diodach SiC MOSFET poprzedniej generacji. W rezultacie, SCH2080KE obniża straty energii o 70% lub więcej w stosunku do Si IGBT, stosowanych powszechnie w przetwornicach. Takie podejście zapewnia nie tylko mniejsze straty przełączania, ale również umożliwia kompatybilność z mniejszymi elementami peryferyjnymi poprzez wspieranie częstotliwości powyżej 50 kHz.

Najważniejsze funkcje:

• Integracja SiC MOSFET mocy i SiC SBD w jednym pakiecie,
• Doskonałe właściwości prądowe i napięciowe bez wzrostu napięcia,
• 70% niższe napięcie przewodzenia minimalizuje straty przełączania i wymaga mniejszej ilości elementów zewnętrznych,
• Brak efektu Tail Current umożliwia niskie straty przełączania.

Więcej informacji o nowych układach Power MOSFET SiC SCH2080KE firmy ROHM mogą Państwo uzyskać z załączonej karty katalogowej.