650V diody krzemowe Qspeed firmy Power Integrations zastępują rozwiązania SiC w serwerach AI, telekomunikacji, oraz zastosowaniach przemysłowych

Ultraszybkie diody Qspeed serii H firmy Power Integrations są teraz dostępne z wartościami znamionowymi 650V do 30A. Urządzenia te charakteryzują się najniższym w branży ładunkiem zwrotnym (Qrr) dla diody krzemowej. Oferują one atrakcyjną alternatywę dla diod z węglika krzemu (SiC), zapewniając porównywalną sprawność i parametry obniżania napięcia przy korzystnych cenach i pewności dostaw diod krzemowych.

Zaprojektowane tak, aby sprostać rosnącym wymaganiom dotyczącym mocy nowoczesnych zastosowań, nowe diody są idealne do zastosowań z ciągłym trybem przewodzenia (CCM) z PFC boost od 1,6kW do 11kW. Łatwo spełniają 80% obniżenie napięcia przebicia w serwerach, telekomunikacji, sieciach i zasilaczach przemysłowych, które wykorzystują energochłonne procesory CPU i GPU.

Diody Qspeed 650V oferują porównywalne ładowanie zwrotne do diod SiC, co skutkuje niemal identyczną sprawnością systemu w zastosowaniu ładowarki akumulatorów o mocy 3,4 kW. Technologia diod Schottky'ego PiN (MPS) zapewnia miękką charakterystykę prądu zwrotnego, która zmniejsza EMI i szczytowe napięcie zwrotne, eliminując potrzebę stosowania tłumików.

Nowe diody Qspeed są umieszczone w standardowych obudowach TO-220AC, oferując izolację 2,5kV i doskonałe parametry termiczne. Mogą być stosowane jako zamienniki dla równoważnych diod SiC.

Zachęcamy do zapoznania się z załączoną (wstępną) kartą katalogową układu TinySwitch™-5:

Aby uzyskać próbki, zestawy referencyjne oraz więcej informacji, skontaktuj się z naszym działem handlowym. Gamma Sp. z o.o. jest autoryzowanym dystrybutorem rozwiązań firmy Power Integrations w Polsce.