Rozwiązania z węglika krzemu (SiC) poprawiające efektywność energetyczną, zarządzanie temperaturą i wydajność kluczowych aplikacji na wielu rynkach

Węglik krzemu (SiC) to technologia idealna do zastosowań wymagających wyższej częstotliwości przełączania, wyższej sprawności oraz mocy (>650 V).

Typowe rynki i zastosowania tej technologii to m.in.:

• Transport/motoryzacja: ładowarki akumulatorów pojazdów elektrycznych (EV), układy napędowe hybrydowych pojazdów elektrycznych (HEV), przetwornice DC–DC, odzyskiwanie energii
• Centrum danych: zasilacze UPS (Uninterruptible Power Supply), Power Distribution Unit (PDU) i PSU (PFC/LLC)
• Lotnictwo komercyjne: siłowniki, klimatyzacja i dystrybucja energii
• Przemysł: ogrzewanie indukcyjne, napędy silników, zasilacze impulsowe (SMPS), spawanie
• Inteligentna Energia: magazynowanie energii, falowniki fotowoltaiczne (PV), turbiny wiatrowe
• Medycyna: zasilanie MRI, zasilanie rentgenowskie
• Wojsko: napędy silników, zasilacze

Linie produktów MOSFET mSiC oraz diod mSiC (diody barierowe Schottky'ego) firmy Microchip Technology, zwiększają sprawność systemu w porównaniu z rozwiązaniami krzemowymi MOSFET i IGBT, obniżając jednocześnie koszty posiadania poprzez umożliwienie stosowania mniejszych systemów i mniejszego/tańszego chłodzenia.

Microchip oferuje cztery serie produktów z dyskretnymi diodami: serię Vf D o średniej prędkości, serię DQ o dużej prędkości, serię Schottky S z krzemu oraz serię SiC Schottky Barrier Diode. Te serie diod zostały zaprojektowane tak, aby zapewnić wysokiej jakości rozwiązania dla szerokiego zakresu wymagań aplikacji wysokiego napięcia i dużej mocy, od szybkiego odzyskiwania dla ciągłej korekcji współczynnika mocy w trybie przewodzenia do niskich strat przewodzenia dla prostowania wyjściowego.

Power MOS 8 to najnowsza rodzina szybkich, wysokonapięciowych (500-1200 V) impulsowych tranzystorów mocy z kanałem N firmy Microchip oniższych charakterystykach EMI i niższym koszcie w porównaniu do urządzeń poprzedniej generacji. Te nowe tranzystory MOSFET/FREDFET zostały zoptymalizowane zarówno do przełączania twardego, jak i miękkiego w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i wysokim napięciu o mocy znamionowej powyżej 500 W. W rodzinie tranzystorów MOSFET Power MOS 8 występują 2 typy produktów:

1. MOSFET
2. Tranzystory FREDFET mają szybką charakterystykę diody korpusu, zapewniającą wysoką odporność komutacji dv/dt i wysoką niezawodność w obwodach ZVS

Nowa seria Power MOS 8 jest wynikiem szeroko zakrojonych badań nad cichym przełączaniem. Wartości pojemności wejściowej i odwrotnej pojemności transferowej, a także ich stosunek zostały ustawione na określone wartości, aby uzyskać ciche przełączanie przy minimalnej stracie przełączania. Urządzenia z serii Power MOS 8 charakteryzują się cichą pracą, stabilnością przy równoległym połączeniu i dużą wydajnością.

Broszura informacyjna dotycząca rozwiązań High-Voltage Power Discretes and Modules firmy Microchip Technology