Microchip kontynuuje rozbudowę portfolio rozwiązań mocy RF z azotku galu (GaN)

Firma Microchip Technology Inc. ogłosiła rozszerzenie swojej oferty urządzeń mocy RF wykorzystujących technologię azotku galu (GaN) o nowe MMIC i dyskretne tranzystory, które obejmują częstotliwości do 20 gigaherców (GHz). Urządzenia łączą wysoką sprawność dodaną mocy (PAE) oraz wysoką liniowość, aby zapewnić nowy poziom wydajności w zastosowaniach od 5G po wojnę elektroniczną, komunikację satelitarną, komercyjne i obronne systemy radarowe oraz sprzęt testowy.

Podobnie jak wszystkie produkty zasilające Microchip GaN RF, urządzenia są wytwarzane przy użyciu technologii GaN na węgliku krzemu, która zapewnia najlepszą kombinację wysokiej gęstości mocy i wydajności, a także pracę pod wysokim napięciem i żywotność ponad 1 miliona godzin przy temperaturze złącz sięgającej 255oC.

Zawierają one produkty GaN MMIC obejmujące 2 do 18 GHz, 12 do 20 GHz i 12 do 20 GHz z mocą wyjściową RF 3 dB (P3dB) do 20W ze sprawnością do 25%, a także z samą matrycą i pakietem GaN wzmacniaczy MMIC dla pasma S i X z do 60% PAE oraz dyskretne urządzenia z tranzystorem o wysokiej mobilności elektronów (HEMT) obejmujące prąd stały do 14GHz z mocą wyjściową RF P3dB do 100W i maksymalną sprawnością 70%.

„Microchip kontynuuje inwestycje w produkty GaN RF, aby wspierać każdą aplikację we wszystkich częstotliwościach, od mikrofal po fale milimetrowe, z portfolio produktów, które obejmuje ponad 50 urządzeń, od niskiego poziomu mocy do 2,2 kW” – powiedział Leon Gross, wiceprezes prezes jednostki biznesowej produktów dyskretnych firmy Microchip. „Ogłoszone dzisiaj produkty obejmują zakres od 2 do 20 GHz i są zaprojektowane tak, aby sprostać wyzwaniom związanym z liniowością i sprwanością, jakie stawiają techniki modulacji wyższego rzędu stosowane w 5G i innych sieciach bezprzewodowych, a także unikalnym potrzebom komunikacji satelitarnej i zastosowań obronnych.”

Portfolio półprzewodników RF firmy Microchip oprócz urządzeń GaN obejmuje wzmacniacze i moduły RF z arsenku galu (GaAs), wzmacniacze niskoszumowe, moduły front-end (RFFE), diody varactor, Schottky i PIN, przełączniki RF i tłumiki zmienne napięcia. Ponadto firma dostarcza wysokowydajne czujniki powierzchniowej fali akustycznej (SAW) i oscylatory systemów mikroelektromechanicznych (MEMS) oraz wysoce zintegrowane moduły, które łączą mikrokontrolery (MCU) z nadajnikami-odbiornikami RF (Wi-Fi® MCU), które obsługują główne urządzenia bezprzewodowe krótkiego zasięgu protokołów komunikacyjnych od Bluetooth® i Wi-Fi do LoRa®.

Dostępność

Zapowiedziane dzisiaj urządzenia zasilające obejmują układy ICP0349PP7-1-300I oraz ICP15431-110I, a także inne produkty Microchip RF, które są dostępne w produkcji masowej.