Dodano: środa, 28 lipca 2021r. Producent: Microchip

Nowe wysokowydajne i niezawodne 1700V dyskretne moduły MOSFET firmy Microchip z węglika krzemu SiC

Dzisiejsze energooszczędne systemy ładowania elektrycznego zasilające napędy pojazdów użytkowych, a także systemy zasilania pomocniczego, falowniki słoneczne, transformatory półprzewodnikowe i inne zastosowania transportowe oraz przemysłowe opierają się na układach przełączania wysokiego napięcia. Aby spełnić te wymagania, firma Microchip Technology Inc. ogłosiła rozszerzenie swojego portfolio urządzeń z węglika krzemu SiC, o rodzinę wysokowydajnych, niezawodnych 1700V dyskretnych modułów MOSFET z węglika krzemu.

1700V technologia węglika krzemu firmy Microchip jest alternatywą dla krzemowych tranzystorów IGBT. Wcześniejsza technologia wymagała od projektantów kompromisu w zakresie wydajności i stosowania skomplikowanych topologii ze względu na ograniczenia częstotliwości przełączania przez stratne krzemowe tranzystory IGBT. Ponadto rozmiary i waga systemów energoelektronicznych są nadmiernie powiększane przez transformatory, które można zmniejszyć jedynie poprzez zwiększenie częstotliwości przełączania.

Nowa rodzina produktów z węglika krzemu pozwala inżynierom wyjść poza tranzystory IGBT i zamiast tego stosować dwupoziomowe topologie o zmniejszonej liczbie podzespołów, większej wydajności i prostszych schematach sterowania. Bez ograniczeń przełączania, jednostki konwersji energii mogą być znacznie zmniejszone pod względem wielkości i wagi, zwalniając miejsce dla większej liczby stacji ładowania, dodatkowego miejsca dla pasażerów i ładunku lub zwiększając zasięg i czas pracy pojazdów, autobusów elektrycznych i innych zasilanych bateryjnie pojazdów użytkowych – wszystko przy obniżonych całkowitych kosztach systemu.

Projektanci systemów w segmencie transportowym są stale proszeni o umieszczenie większej liczby osób i towarów w pojazdach, których nie można powiększyć” – powiedział Leon Gross, wiceprezes jednostki biznesowej ds. produktów dyskretnych firmy Microchip. „Jednym z najlepszych sposobów, aby to osiągnąć, jest ogromne zmniejszenie rozmiarów i masy sprzętu do konwersji energii, który wykorzysta wysokonapięciowe urządzenia zasilające z węglika krzemu. Te same zalety ci w transporcie przynoszą podobne korzyści w wielu innych zastosowaniach w tym przemysłowych

Funkcje nowych MOSFET’ów w technologii SiC, obejmują stabilność tlenku bramki, w której Microchip nie zaobserwował zmiany napięcia progowego nawet po rozszerzonych 100 000 impulsach w powtarzalnych testach bezzaciskowego przełączania indukcyjnego (R-UIS). Testy R-UIS wykazały również doskonałą odporność lawinową i stabilność parametryczną, a przy stabilności tlenków bramek wykazały niezawodne działanie przez cały okres eksploatacji systemu. Pozbawiona degradacji dioda korpusu może wyeliminować potrzebę stosowania zewnętrznej diody z MOSFETem z węglika krzemu. Odporność na zwarcie porównywalna z tranzystorami IGBT pozwala przetrwać szkodliwe elektryczne stany nieustalone. Bardziej płaska krzywa RDS(on) względem temperatury junction od 0 do 175 stopni Celsjusza (C) umożliwia systemowi zasilania działanie z większą stabilnością niż inne tranzystory MOSFET z węglika krzemu, które wykazują większą wrażliwość na temperaturę.

Microchip usprawnia przyjęcie swojej technologii dzięki rodzinie cyfrowych programowalnych sterowników bramek AgileSwitch® oraz szerokiej gamie obudów modułów dyskretnych i zasilających, dostępnych w standardowych i konfigurowalnych formatach. Sterowniki bramek pomagają przyspieszyć rozwój aplikacji opartych na rozwiązaniach SiC od warsztatu do produkcji.

Inne produkty z węglika krzemu firmy Microchip obejmują m.in. 700 i 1200V rodziny tranzystorów MOSFET i diod Schottky Barrier, dostępne w postaci samej matrycy oraz w różnych pakietach dyskretnych i modułowych. Microchip ujednolica własną produkcję matryc z węglika krzemu z pakietem mocy o niskiej indukcyjności oraz cyfrowymi programowalnymi sterownikami bramek, aby umożliwić projektantom tworzenie najbardziej wydajnych, kompaktowych i niezawodnych produktów końcowych.

Kompleksowe rozwiązania systemowe firmy obejmują również portfolio mikrokontrolerów (MCU), układów analogowych i urządzeń peryferyjnych oraz technologii komunikacyjnych, bezprzewodowych i (cyber)bezpieczeństwa.

Pozostałe aktualności:

Nowoczesne przekaźniki HVDC firmy Hongfa – gotowe na wyzwania elektromobilności i nowej energetyki

Nowoczesne przekaźniki HVDC firmy Hongfa – gotowe na wyzwania...

W ofercie przekaźników HVDC firmy Hongfa znajdują się zaawansowane modele przeznaczone do zastosowań w pojazdach...

środa, 23 kwietnia, 2025 Więcej

Kompaktowy 20W moduł zasilania ARCF20 firmy Arch Electronics

Kompaktowy 20W moduł zasilania ARCF20 firmy Arch Electronics

Firma Arch Electronics zaprezentowała najnowszy 20W ultra kompaktowy moduł zasilania ARCF20 do montażu na płytce...

środa, 23 kwietnia, 2025 Więcej

Microchip uzupełnia rodzinę tranzystorów MOSFET mocy zgodnych z normą MIL-PRF-19500/746, osiągace zdolność JANSF 300 Krad

Microchip uzupełnia rodzinę tranzystorów MOSFET mocy zgodnych z normą...

Firma Microchip Technology ogłosiła wprowadzenie rodziny tranzystorów MOSFET mocy wzmocnionych na promieniowanie...

piątek, 18 kwietnia, 2025 Więcej

RedRock® RR133-1E83-511 czujnik magnetyczny TMR o częstotliwości 1000Hz i najniższym poborze mocy w branży

RedRock® RR133-1E83-511 czujnik magnetyczny TMR o częstotliwości 1000Hz...

Firma Coto Technology zaprezentowała czujnik magnetyczny RedRock® RR133-1E83-511 oparty na technologii TMR...

czwartek, 17 kwietnia, 2025 Więcej

15,6-calowy kiosk samoobsługowy ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc. dla inteligentnych usług w różnych branżach

15,6-calowy kiosk samoobsługowy ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc....

ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc. to15,6-calowy samoobsługowy kiosk zaprojektowany, aby zrewolucjonizować...

czwartek, 17 kwietnia, 2025 Więcej

650V diody krzemowe Qspeed firmy Power Integrations zastępują rozwiązania SiC w serwerach AI, telekomunikacji, oraz zastosowaniach przemysłowych

650V diody krzemowe Qspeed firmy Power Integrations zastępują...

Ultraszybkie diody Qspeed serii H firmy Power Integrations są teraz dostępne z wartościami znamionowymi 650V do 30A.

środa, 16 kwietnia, 2025 Więcej