Dodano: czwartek, 27 maja 2021r. Producent: ROHM

Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Firma ROHM opracowała technologię najwyższego w branży 8V napięcia przebicia bramki (znamionowe napięcie bramki) dla 150V urządzeń GaN HEMT - zoptymalizowaną pod kątem obwodów zasilania w urządzeniach przemysłowych i komunikacyjnych.

W ostatnich latach, ze względu na rosnące zapotrzebowanie na systemy serwerowe w odpowiedzi na rosnącą liczbę urządzeń IoT, poprawa sprawności konwersji energii i zmniejszenie rozmiaru stały się ważnymi kwestiami społecznymi, które wymagają dalszych postępów w sektorze urządzeń energetycznych.

Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Wraz z produkowanymi masowo, wiodącymi w branży urządzeniami SiC i różnorodnymi bogatymi w funkcje urządzeniami krzemowymi, firma ROHM opracowała urządzenia GaN charakteryzujące się doskonałą pracą w wysokich częstotliwościach w zakresie średniego napięcia. Technologia kultywacji, która zwiększa znamionowe napięcie bramka-źródło, pozwala firmie ROHM na zaproponowanie szerszego zakresu rozwiązań energetycznych do różnych zastosowań.

Ponieważ urządzenia GaN zapewniają lepszą charakterystykę przełączania i niższą rezystancję włączenia niż urządzenia krzemowe, oczekuje się, że przyczynią się do niższego zużycia energii i większej miniaturyzacji zasilaczy impulsowych stosowanych w stacjach bazowych i centrach danych. Jednak wady, które obejmują niskie napięcie znamionowe bramka-źródło i napięcie przeregulowania przekraczające maks. wartości znamionowej podczas przełączania stanowią poważne wyzwanie dla niezawodności urządzenia.

W odpowiedzi na to zagadnienie firmie ROHM udało się podnieść napięcie znamionowe bramka-źródło z typowego 6 V do 8 V przy użyciu oryginalnej konstrukcji. Umożliwia to zarówno poprawę marginesu projektowego, jak i zwiększenie niezawodności obwodów zasilających wykorzystujących urządzenia GaN, które wymagają wysokiej sprawności. Oprócz maksymalizacji wydajności urządzenia przy niskiej indukcyjności pasożytniczej, opracowany będzie również dedykowany pakiet, który ułatwia montaż i zapewnia doskonałe odprowadzanie ciepła, umożliwiając łatwą wymianę istniejących urządzeń krzemowych, przy jednoczesnym uproszczeniu obsługi podczas procesu montażu.

Pozostałe aktualności:

Przewodnik po produktach MLCC

Przewodnik po produktach MLCC

Wielowarstwowe kondensatory ceramiczne (MLCC) to jeden z najważniejszych elementów pasywnych w nowoczesnej...

poniedziałek, 22 grudnia, 2025 Więcej

Przegląd produktów Microchip 12/2025

Przegląd produktów Microchip 12/2025

Przegląd produktów firmy Microchip zawiera wybór najnowszych rozwiązań oraz projektów referencyjnych.

poniedziałek, 22 grudnia, 2025 Więcej

Cewki Rogowskiego: Inteligentniejszy sposób pomiaru wysokich prądów przemiennych

Cewki Rogowskiego: Inteligentniejszy sposób pomiaru wysokich prądów...

Cewka Rogowskiego to czujnik prądu zbudowany z uzwojenia helisy wokół rdzenia niemagnetycznego. W przeciwieństwie do...

czwartek, 18 grudnia, 2025 Więcej

Avalue Technology Inc. wprowadza na rynek 3,5-calowy komputer jednopłytkowy klasy przemysłowej ECM-ASL3

Avalue Technology Inc. wprowadza na rynek 3,5-calowy komputer...

Firma Avalue Technology Inc. wprowadziła na rynek 3,5-calowy, przemysłowy komputer jednopłytkowy ECM-ASL3. Produkt...

wtorek, 16 grudnia, 2025 Więcej

Biuletyn SIEMENS Digital Industries Software / Grudzień 2025

Biuletyn SIEMENS Digital Industries Software / Grudzień 2025

Zapraszamy do zapoznania się z grudniową kompilacją najświeższych aktualności z dziedziny oprogramowania projektowego...

poniedziałek, 15 grudnia, 2025 Więcej

Korekcja współczynnika mocy (PFC): klucz do wyższej efektywności wykorzystania energii

Korekcja współczynnika mocy (PFC): klucz do wyższej efektywności...

Korekcja współczynnika mocy (PFC) jest jedną z kluczowych technologii umożliwiających osiągnięcie wysokiej...

poniedziałek, 15 grudnia, 2025 Więcej