- Baterie i akumulatory
- Elementy indukcyjne
- Elementy półprzewodnikowe
- Czujniki
- Elementy dysktretne
- Mikrokontrolery
- Przełączniki
- Układy scalone
- Zarządzanie energią
- Cyfrowe potencjometry
- Czujniki temperatury
- Kontrolery mocy
- Moduły DC-DC
- Oświetlenie i wyświetlacze
- PMIC
- Pozostałe
- Przełączniki mocy
- Regulatory AC/DC Power Integrations
- Regulatory DC/DC
- Regulatory DC/DC Power Integrations
- Regulatory liniowe LDO
- Stabilizatory napięcia
- Sterowniki MOSFET
- Terminatory DDR
- Układy nadzorcze
- Ładowarki baterii
- Zestawy uruchomieniowe
- Komunikacja
- LED
- Przekaźniki
- Rezonatory filtry i źródła częstotliwości
- RFID
- Wyświetlacze
- Zasilacze impulsowe
Ważne informacje
Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Firma ROHM opracowała technologię najwyższego w branży 8V napięcia przebicia bramki (znamionowe napięcie bramki) dla 150V urządzeń GaN HEMT - zoptymalizowaną pod kątem obwodów zasilania w urządzeniach przemysłowych i komunikacyjnych.
W ostatnich latach, ze względu na rosnące zapotrzebowanie na systemy serwerowe w odpowiedzi na rosnącą liczbę urządzeń IoT, poprawa sprawności konwersji energii i zmniejszenie rozmiaru stały się ważnymi kwestiami społecznymi, które wymagają dalszych postępów w sektorze urządzeń energetycznych.

Wraz z produkowanymi masowo, wiodącymi w branży urządzeniami SiC i różnorodnymi bogatymi w funkcje urządzeniami krzemowymi, firma ROHM opracowała urządzenia GaN charakteryzujące się doskonałą pracą w wysokich częstotliwościach w zakresie średniego napięcia. Technologia kultywacji, która zwiększa znamionowe napięcie bramka-źródło, pozwala firmie ROHM na zaproponowanie szerszego zakresu rozwiązań energetycznych do różnych zastosowań.
Ponieważ urządzenia GaN zapewniają lepszą charakterystykę przełączania i niższą rezystancję włączenia niż urządzenia krzemowe, oczekuje się, że przyczynią się do niższego zużycia energii i większej miniaturyzacji zasilaczy impulsowych stosowanych w stacjach bazowych i centrach danych. Jednak wady, które obejmują niskie napięcie znamionowe bramka-źródło i napięcie przeregulowania przekraczające maks. wartości znamionowej podczas przełączania stanowią poważne wyzwanie dla niezawodności urządzenia.
W odpowiedzi na to zagadnienie firmie ROHM udało się podnieść napięcie znamionowe bramka-źródło z typowego 6 V do 8 V przy użyciu oryginalnej konstrukcji. Umożliwia to zarówno poprawę marginesu projektowego, jak i zwiększenie niezawodności obwodów zasilających wykorzystujących urządzenia GaN, które wymagają wysokiej sprawności. Oprócz maksymalizacji wydajności urządzenia przy niskiej indukcyjności pasożytniczej, opracowany będzie również dedykowany pakiet, który ułatwia montaż i zapewnia doskonałe odprowadzanie ciepła, umożliwiając łatwą wymianę istniejących urządzeń krzemowych, przy jednoczesnym uproszczeniu obsługi podczas procesu montażu.
Pozostałe aktualności:

Skalowalne portfolio rozwiązań Edge AI firmy Avalue Technology oparte na...
Firma Avalue Technology oferuje skalowalne portfolio rozwiązań Edge AI oparte na najnowszych architekturach Intel® -...

Kompilatory MPLAB® XC Pro i pakiet MPLAB Machine Learning (ML)...
Kompilatory MPLAB® XC Pro i pakiet MPLAB Machine Learning (ML) Development Suite firmy Microchip Technology są teraz...

Nowa rodzina izolatorów cyfrowych Si86Px firmy Skyworks Solutions ze...
We współczesnym projektowaniu systemów elektronicznych, szczególnie dla wymagających sektorów przemysłowego i...

Kompleksowe rozwiązanie SMARC SOM firmy Digi International oparte na...
Digi ConnectCore 95 SMARC redefiniuje koncepcję systemu modułowego SMARC® (SOM), zapewniając zintegrowaną...

Technologia V2X zweryfikowała potrzeby bezpieczeństwa nowoczesnych pojazdów
Podczas gdy branża motoryzacyjna nadal zmierza w kierunku wysoce zintegrowanych pojazdów definiowanych programowo...

Połącz narzędzia AI z Digi Remote Manager® i Digi Genesis za pomocą...
Serwer protokołu Model Context Protocol (MCP) firmy Digi International umożliwia bezpieczną oraz skalowalną...

























