- Elementy indukcyjne
- Elementy półprzewodnikowe
- Czujniki
- Elementy dysktretne
- Mikrokontrolery
- Przełączniki
- Układy scalone
- Zarządzanie energią
- Cyfrowe potencjometry
- Czujniki temperatury
- Kontrolery mocy
- Moduły DC-DC
- Oświetlenie i wyświetlacze
- PMIC
- Pozostałe
- Przełączniki mocy
- Regulatory AC/DC Power Integrations
- Regulatory DC/DC
- Regulatory DC/DC Power Integrations
- Regulatory liniowe LDO
- Stabilizatory napięcia
- Sterowniki MOSFET
- Terminatory DDR
- Układy nadzorcze
- Ładowarki baterii
- Zestawy uruchomieniowe
- Komunikacja
- LED
- Przekaźniki
- Rezonatory filtry i źródła częstotliwości
- RFID
- Wyświetlacze
- Zasilacze impulsowe
Ważne informacje
Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Firma ROHM opracowała technologię najwyższego w branży 8V napięcia przebicia bramki (znamionowe napięcie bramki) dla 150V urządzeń GaN HEMT - zoptymalizowaną pod kątem obwodów zasilania w urządzeniach przemysłowych i komunikacyjnych.
W ostatnich latach, ze względu na rosnące zapotrzebowanie na systemy serwerowe w odpowiedzi na rosnącą liczbę urządzeń IoT, poprawa sprawności konwersji energii i zmniejszenie rozmiaru stały się ważnymi kwestiami społecznymi, które wymagają dalszych postępów w sektorze urządzeń energetycznych.

Wraz z produkowanymi masowo, wiodącymi w branży urządzeniami SiC i różnorodnymi bogatymi w funkcje urządzeniami krzemowymi, firma ROHM opracowała urządzenia GaN charakteryzujące się doskonałą pracą w wysokich częstotliwościach w zakresie średniego napięcia. Technologia kultywacji, która zwiększa znamionowe napięcie bramka-źródło, pozwala firmie ROHM na zaproponowanie szerszego zakresu rozwiązań energetycznych do różnych zastosowań.
Ponieważ urządzenia GaN zapewniają lepszą charakterystykę przełączania i niższą rezystancję włączenia niż urządzenia krzemowe, oczekuje się, że przyczynią się do niższego zużycia energii i większej miniaturyzacji zasilaczy impulsowych stosowanych w stacjach bazowych i centrach danych. Jednak wady, które obejmują niskie napięcie znamionowe bramka-źródło i napięcie przeregulowania przekraczające maks. wartości znamionowej podczas przełączania stanowią poważne wyzwanie dla niezawodności urządzenia.
W odpowiedzi na to zagadnienie firmie ROHM udało się podnieść napięcie znamionowe bramka-źródło z typowego 6 V do 8 V przy użyciu oryginalnej konstrukcji. Umożliwia to zarówno poprawę marginesu projektowego, jak i zwiększenie niezawodności obwodów zasilających wykorzystujących urządzenia GaN, które wymagają wysokiej sprawności. Oprócz maksymalizacji wydajności urządzenia przy niskiej indukcyjności pasożytniczej, opracowany będzie również dedykowany pakiet, który ułatwia montaż i zapewnia doskonałe odprowadzanie ciepła, umożliwiając łatwą wymianę istniejących urządzeń krzemowych, przy jednoczesnym uproszczeniu obsługi podczas procesu montażu.
Pozostałe aktualności:

Microchip Technology ulepsza robotyczne czujniki dotykowe dzięki...
Firma Microchip Technology wprowadziła szybki digitalizator pojemnościowy ATFCD52, który konwertuje sygnały z...

Redriver USB firmy Microchip Technology ułatwia zwiększenie zasięgu w...
Rozwiązania USB Redriver firmy Microchip Technology pomagają projektantom rozszerzyć szybką łączność USB, zachowując...

Grupa YAGEO wprowadza na rynek transformator LLC PMG7277NLT do...
Grupa YAGEO kontynuuje wprowadzanie na rynek nowych transformatorów LLC, zaprojektowanych specjalnie do przełączania...

Aplikacja demonstracyjna wielokanałowego pomiaru z dzięki SoC PIC32CXMTC...
Projekt referencyjny aplikacji demonstracyjnej wielokanałowego inteligentnego pomiaru firmy Microchip Technology...

Digi XBee LR to bezprzewodowy moduł komunikacyjny firmy Digi...
Bezprzewodowe moduły komunikacyjne XBee® LR firmy Digi International przyspieszają czas wprowadzania produktów na...

Digi EX61 bezpieczna łączność 5G z scentralizowanym zarządzaniem w...
Digi EX61 to kompaktowy wzmacniacz sygnału komórkowego 5G do zastosowań wewnętrznych/zewnętrznych, który zapewnia...

























