- Baterie i akumulatory
- Elementy indukcyjne
- Elementy półprzewodnikowe
- Czujniki
- Elementy dysktretne
- Mikrokontrolery
- Przełączniki
- Układy scalone
- Zarządzanie energią
- Cyfrowe potencjometry
- Czujniki temperatury
- Kontrolery mocy
- Moduły DC-DC
- Oświetlenie i wyświetlacze
- PMIC
- Pozostałe
- Przełączniki mocy
- Regulatory AC/DC Power Integrations
- Regulatory DC/DC
- Regulatory DC/DC Power Integrations
- Regulatory liniowe LDO
- Stabilizatory napięcia
- Sterowniki MOSFET
- Terminatory DDR
- Układy nadzorcze
- Ładowarki baterii
- Zestawy uruchomieniowe
- Komunikacja
- LED
- Przekaźniki
- Rezonatory filtry i źródła częstotliwości
- RFID
- Wyświetlacze
- Zasilacze impulsowe
Ważne informacje
Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Firma ROHM opracowała technologię najwyższego w branży 8V napięcia przebicia bramki (znamionowe napięcie bramki) dla 150V urządzeń GaN HEMT - zoptymalizowaną pod kątem obwodów zasilania w urządzeniach przemysłowych i komunikacyjnych.
W ostatnich latach, ze względu na rosnące zapotrzebowanie na systemy serwerowe w odpowiedzi na rosnącą liczbę urządzeń IoT, poprawa sprawności konwersji energii i zmniejszenie rozmiaru stały się ważnymi kwestiami społecznymi, które wymagają dalszych postępów w sektorze urządzeń energetycznych.

Wraz z produkowanymi masowo, wiodącymi w branży urządzeniami SiC i różnorodnymi bogatymi w funkcje urządzeniami krzemowymi, firma ROHM opracowała urządzenia GaN charakteryzujące się doskonałą pracą w wysokich częstotliwościach w zakresie średniego napięcia. Technologia kultywacji, która zwiększa znamionowe napięcie bramka-źródło, pozwala firmie ROHM na zaproponowanie szerszego zakresu rozwiązań energetycznych do różnych zastosowań.
Ponieważ urządzenia GaN zapewniają lepszą charakterystykę przełączania i niższą rezystancję włączenia niż urządzenia krzemowe, oczekuje się, że przyczynią się do niższego zużycia energii i większej miniaturyzacji zasilaczy impulsowych stosowanych w stacjach bazowych i centrach danych. Jednak wady, które obejmują niskie napięcie znamionowe bramka-źródło i napięcie przeregulowania przekraczające maks. wartości znamionowej podczas przełączania stanowią poważne wyzwanie dla niezawodności urządzenia.
W odpowiedzi na to zagadnienie firmie ROHM udało się podnieść napięcie znamionowe bramka-źródło z typowego 6 V do 8 V przy użyciu oryginalnej konstrukcji. Umożliwia to zarówno poprawę marginesu projektowego, jak i zwiększenie niezawodności obwodów zasilających wykorzystujących urządzenia GaN, które wymagają wysokiej sprawności. Oprócz maksymalizacji wydajności urządzenia przy niskiej indukcyjności pasożytniczej, opracowany będzie również dedykowany pakiet, który ułatwia montaż i zapewnia doskonałe odprowadzanie ciepła, umożliwiając łatwą wymianę istniejących urządzeń krzemowych, przy jednoczesnym uproszczeniu obsługi podczas procesu montażu.
Pozostałe aktualności:

Wzmacnianie europejskich innowacji w zakresie łączności CAN FD dzięki...
Opracowany we Francji transceiver ATA6571RT CAN FD firmy Microchip Technology łączy w sobie europejskie doświadczenie...

Microchip Technology wzmacnia infrastrukturę 48V dzięki precyzyjnym...
Firma Microchip Technology ogłosiła dziś wprowadzenie na rynek serii PAC1761 i PAC1861 cyfrowych monitorów zasilania...

Szybsza ocena projektów Ethernetu i łączności z narzędziami Microchip...
Najnowsza linia produktów Microchip rozszerza portfolio przemysłowych i motoryzacyjnych rozwiązań Ethernet o płytki...

Pierwsze urządzenie Particle z łącznością komórkową, Wi-Fi i satelitarną...
Moduł komunikacyjny Particle M635e uzyskał certyfikat Skylo, dając deweloperom i przedsiębiorstwom IoT sprawdzoną...

Przegląd produktów Microchip 08/2026
Przegląd produktów firmy Microchip zawiera wybór najnowszych rozwiązań oraz projektów referencyjnych.

Power Integrations prezentuje 4. generację układów CAPZero do...
Firma Power Integrations, lider w dziedzinie wysokonapięciowych układów scalonych do energooszczędnej konwersji...

























