Dodano: czwartek, 27 maja 2021r. Producent: ROHM

Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Firma ROHM opracowała technologię najwyższego w branży 8V napięcia przebicia bramki (znamionowe napięcie bramki) dla 150V urządzeń GaN HEMT - zoptymalizowaną pod kątem obwodów zasilania w urządzeniach przemysłowych i komunikacyjnych.

W ostatnich latach, ze względu na rosnące zapotrzebowanie na systemy serwerowe w odpowiedzi na rosnącą liczbę urządzeń IoT, poprawa sprawności konwersji energii i zmniejszenie rozmiaru stały się ważnymi kwestiami społecznymi, które wymagają dalszych postępów w sektorze urządzeń energetycznych.

Technologia najwyższego w branży napięcia przebicia bramki opracowana przez firmę ROHM

Wraz z produkowanymi masowo, wiodącymi w branży urządzeniami SiC i różnorodnymi bogatymi w funkcje urządzeniami krzemowymi, firma ROHM opracowała urządzenia GaN charakteryzujące się doskonałą pracą w wysokich częstotliwościach w zakresie średniego napięcia. Technologia kultywacji, która zwiększa znamionowe napięcie bramka-źródło, pozwala firmie ROHM na zaproponowanie szerszego zakresu rozwiązań energetycznych do różnych zastosowań.

Ponieważ urządzenia GaN zapewniają lepszą charakterystykę przełączania i niższą rezystancję włączenia niż urządzenia krzemowe, oczekuje się, że przyczynią się do niższego zużycia energii i większej miniaturyzacji zasilaczy impulsowych stosowanych w stacjach bazowych i centrach danych. Jednak wady, które obejmują niskie napięcie znamionowe bramka-źródło i napięcie przeregulowania przekraczające maks. wartości znamionowej podczas przełączania stanowią poważne wyzwanie dla niezawodności urządzenia.

W odpowiedzi na to zagadnienie firmie ROHM udało się podnieść napięcie znamionowe bramka-źródło z typowego 6 V do 8 V przy użyciu oryginalnej konstrukcji. Umożliwia to zarówno poprawę marginesu projektowego, jak i zwiększenie niezawodności obwodów zasilających wykorzystujących urządzenia GaN, które wymagają wysokiej sprawności. Oprócz maksymalizacji wydajności urządzenia przy niskiej indukcyjności pasożytniczej, opracowany będzie również dedykowany pakiet, który ułatwia montaż i zapewnia doskonałe odprowadzanie ciepła, umożliwiając łatwą wymianę istniejących urządzeń krzemowych, przy jednoczesnym uproszczeniu obsługi podczas procesu montażu.

Pozostałe aktualności:

Nowoczesne przekaźniki HVDC firmy Hongfa – gotowe na wyzwania elektromobilności i nowej energetyki

Nowoczesne przekaźniki HVDC firmy Hongfa – gotowe na wyzwania...

W ofercie przekaźników HVDC firmy Hongfa znajdują się zaawansowane modele przeznaczone do zastosowań w pojazdach...

środa, 23 kwietnia, 2025 Więcej

Kompaktowy 20W moduł zasilania ARCF20 firmy Arch Electronics

Kompaktowy 20W moduł zasilania ARCF20 firmy Arch Electronics

Firma Arch Electronics zaprezentowała najnowszy 20W ultra kompaktowy moduł zasilania ARCF20 do montażu na płytce...

środa, 23 kwietnia, 2025 Więcej

Microchip uzupełnia rodzinę tranzystorów MOSFET mocy zgodnych z normą MIL-PRF-19500/746, osiągace zdolność JANSF 300 Krad

Microchip uzupełnia rodzinę tranzystorów MOSFET mocy zgodnych z normą...

Firma Microchip Technology ogłosiła wprowadzenie rodziny tranzystorów MOSFET mocy wzmocnionych na promieniowanie...

piątek, 18 kwietnia, 2025 Więcej

RedRock® RR133-1E83-511 czujnik magnetyczny TMR o częstotliwości 1000Hz i najniższym poborze mocy w branży

RedRock® RR133-1E83-511 czujnik magnetyczny TMR o częstotliwości 1000Hz...

Firma Coto Technology zaprezentowała czujnik magnetyczny RedRock® RR133-1E83-511 oparty na technologii TMR...

czwartek, 17 kwietnia, 2025 Więcej

15,6-calowy kiosk samoobsługowy ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc. dla inteligentnych usług w różnych branżach

15,6-calowy kiosk samoobsługowy ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc....

ISS-15K5 firmy Avalue Technology Inc. to15,6-calowy samoobsługowy kiosk zaprojektowany, aby zrewolucjonizować...

czwartek, 17 kwietnia, 2025 Więcej

650V diody krzemowe Qspeed firmy Power Integrations zastępują rozwiązania SiC w serwerach AI, telekomunikacji, oraz zastosowaniach przemysłowych

650V diody krzemowe Qspeed firmy Power Integrations zastępują...

Ultraszybkie diody Qspeed serii H firmy Power Integrations są teraz dostępne z wartościami znamionowymi 650V do 30A.

środa, 16 kwietnia, 2025 Więcej