Nowe układy dyskretne MOSFET oraz SBD firmy Microchip w technologii węglika krzemu SiC

W związku ze stale rosnącym popytem na zwiększanie sprawności energetycznej systemów, gęstości mocy oraz jego odporności w zastosowaniach motoryzacyjnych, przemysłowych, lotniczych i obronnych, firma Microchip Technology Inc., za pośrednictwem swojej spółki zależnej Microsemi, ogłosiła wprowadzenie do oferty urządzeń dyskretnych SiC, które oferują sprawdzoną wytrzymałość i zalety technologii opartej na węgliku krzemu. Uzupełnione przez szeroką gamę mikrokontrolerów i rozwiązań analogowych firmy Microchip, urządzenia SiC dołączają do rosnącej rodziny niezawodnych produktów SiC, które spełniają potrzeby nowoczesnych aplikacji pojazdów elektrycznych i innych zastosowań o dużej mocy na szybko rozwijających się rynkach.

700V MOSFET'y SiC oraz 700V i 1200V Diody Schottky'ego typu SiC dołączają do istniejącej oferty modułów mocy SiC. Ponad 35 dyskretnych produktów, które Microchip dodaje do swojej oferty, jest dostępnych w dużych ilościach, wspieranych przez kompleksowe usługi rozwojowe, narzędzia i projekty referencyjne, oferując ponadto wyjątkową wytrzymałość sprawdzoną poprzez rygorystyczne testy. Microchip oferuje szeroką rodzinę matryc SiC, elementów dyskretnych i modułów mocy w szerokim zakresie napięć, prądów znamionowych i typów pakietów.

Układy MOSFET i SBD firmy Microchip wykonane w technologii SiC, oferują bardziej wydajne przełączanie przy wyższych częstotliwościach i przechodzą testy wytrzymałości na poziomach uznawanych za krytyczne, dla zagwarantowania długoterminowej niezawodności. Diody Schottky'ego SiC firmy Microchip działają o około 20 procent lepiej niż inne diody SiC w testach wytrzymałości UCL (Unclamped Inductive Switching), które mierzą jak dobrze urządzenia wytrzymują degradację lub przedwczesne awarie w warunkach lawinowych, które występują, gdy skok napięcia przekracza napięcie przebicia urządzenia. MOSFETy SiC firmy Microchip w testach odporności, wykazują doskonałe ekranowanie bramy i integralność kanału przy niewielkiej degradacji parametrów nawet po przekroczeniu 100 000 cykli testów powtarzalnych UIS (RUIS).

"Rozpoczęła się przyspieszona ewolucja i adopcja technologii SiC, a Microchip oferuje zarówno długą tradycję na tym rynku, jak i ciągłe zaangażowanie w zapewnianiu, że globalna podaż nadal będzie zaspokajać rosnący popyt na te produkty" - powiedział Rich Simoncic, starszy wiceprezes jednostki biznesowej Microchip Discrete and Power Management. "Budujemy nasze portfolio dzięki niezawodnym produktom, które są wspierane przez silną infrastrukturę wsparcia i łańcuch dostaw, których nasi klienci potrzebują do realizacji i skalowania swoich programów rozwojowych."

Microchip jest jednym z nielicznych dostawców, którzy oferują szereg rozwiązań dyskretnych i modułowych zarówno krzemowych, jak i SiC. Produkty firmy idealnie nadają się do coraz większej liczby systemów EV, w tym zewnętrznych stacji ładowania, ładowarek pokładowych, przetwornic DC-DC i rozwiązań kontroli układu napędowego/trakcji. Nowe urządzenia SiC wspierane są przez politykę starzenia firmy Microchip, ukierunkowaną na zapewnienie produkcji urządzeń tak długo, jak klienci będą ich potrzebować.