- Baterie i akumulatory
- Elementy indukcyjne
- Elementy półprzewodnikowe
- Czujniki
- Elementy dysktretne
- Mikrokontrolery
- Przełączniki
- Układy scalone
- Zarządzanie energią
- Cyfrowe potencjometry
- Czujniki temperatury
- Kontrolery mocy
- Moduły DC-DC
- Oświetlenie i wyświetlacze
- PMIC
- Pozostałe
- Przełączniki mocy
- Regulatory AC/DC Power Integrations
- Regulatory DC/DC
- Regulatory DC/DC Power Integrations
- Regulatory liniowe LDO
- Stabilizatory napięcia
- Sterowniki MOSFET
- Terminatory DDR
- Układy nadzorcze
- Ładowarki baterii
- Zestawy uruchomieniowe
- Komunikacja
- LED
- Przekaźniki
- Rezonatory filtry i źródła częstotliwości
- RFID
- Wyświetlacze
- Zasilacze impulsowe
Ważne informacje
BSM250D17P2E004 nowy 1700V moduł SiC firmy ROHM o wysokiej niezawodności
Firma ROHM wiodący producent komponentów elektronicznych poinformowała o opracowaniu modułu SiC BSM250D17P2E004 o mocy znamionowej 1700V/250A, który zapewnia najwyższy poziom niezawodności w branży oraz jest zoptymalizowany pod kątem zastosowania w falownikach i przetwornicach, stosowanych w takich aplikacjach jak m.in. zewnętrznych systemach wytwarzania energii czy przemysłowych zasilaczach o dużej mocy. W ostatnich latach, ze względu na wysoką energooszczędność technologia SiC stała się niebywale popularna w zastosowaniach 1200V, takich jak pojazdy elektryczne i urządzenia przemysłowe. Tendencja do wyższej gęstości mocy doprowadziła do wyższych napięć w systemie, zwiększając popyt na produkty o napięciu sięgającym 1700V. Jednakże osiągnięcie wymaganej niezawodności było trudne, w związku z czym rozwiązania IGBT były zwykle preferowane dla aplikacji 1700V.

W odpowiedzi na nowe zapotrzebowanie rynku firma ROHM osiągnęła wysoką niezawodność na poziomie 1700V przy zachowaniu energooszczędności popularnych produktów SiC 1200V, uzyskując pierwszą na świecie udaną komercjalizację modułów mocy SiC o mocy znamionowej 1700V.
BSM250D17P2E004 wykorzystuje nowe metody budowy oraz materiały powłokowe, aby zapobiec rozpadowi dielektrycznemu oraz aby tłumić wzrost prądu upływowego. W rezultacie tych działań uzyskano wysoką niezawodność, która zapobiega rozpadowi dielektryka, nawet po 1000 godzinach, w warunkach wysokotemperaturowych testów obciążeniowych w wysokiej wilgotności (HV-H3TRB). Zapewnia to pracę przy wysokim napięciu nawet w warunkach wysokiej temperatury i wilgotności.

Włączenie do tego samego modułu sprawdzonych przez ROHM układów SiC MOSFET i diod barierowych SiC Schottky oraz dalsza optymalizacja struktury wewnętrznej umożliwiła zmniejszenie rezystancji ON o 10% w stosunku do innych produktów SiC w swojej klasie. Przekłada się to na poprawę oszczędności energii i zmniejszenie rozpraszania ciepła w dowolnym zastosowaniu.
Więcej informacji o nowym module SiC BSM250D17P2E004 firmy ROHM mogą Państwo uzyskać w załączonej dokumentacji technicznej. Zachęcamy też do kontaktu z naszym działem handlowym w celu przygotowania oferty.
Pozostałe aktualności:

Zasilacze impulsowe AC-DC bez wentylatora - chłodzenie przewodzeniowe i...
Firma ARCH Electronics oferuje szeroką gamę bezwentylatorowych zasilaczy impulsowych AC-DC wykorzystujących...

Wzmocniony router 5G TX65 firmy Digi International dla nieprzerwanej...
Zaprojektowany z myślą o wymagających środowiskach transportu, bezpieczeństwa publicznego i mobilnego przemysłu, Digi...

Zero Trust w infrastrukturze krytycznej: Jak przełączniki Lantech OS5...
Platforma Lantech OS5 Security Switch to przełomowe rozwiązanie łączące rygorystyczne cyberbezpieczeństwo,...

Digi International wprowadza na rynek serwery urządzeń szeregowych Digi...
Serwery portów szeregowych Digi Connect EZ TS modernizują infrastrukturę operacyjną dzięki rozszerzonej łączności...

EPC-WCL bezwentylatorowy system wbudowany firmy Avalue Technology dla...
Bezwentylatorowy system wbudowany EPC-WCL, napędzany nowym procesorem Intel Core Series 3. Platforma ta wyposażona w...

Retimery XpressConnect™ PCIe® 6.0 i CXL® 3.1 firmy Microchip Technology...
Firma Microchip Technology wprowadza retimery XpressConnect™ PCIe® 6.0 i CXL® 3.1, aby umożliwić rozbudowę pamięci i...

























