Nowe 650V tranzystory IGBT firmy ROHM o wiodącej w klasie niskiej stracie przewodzenia i szybkim czasie przełączania

Firma ROHM ogłosiła dostępność dwóch nowych serii tranzystorów IGBT 650V, które łączą w sobie wiodącą w klasie niską stratę przewodzenia i szybkie przełączanie. Cechy te czynią je idealnym wyborem dla obwodów konwersji mocy w uniwersalnych przetwornicach i konwerterach urządzeń konsumenckich, takich jak klimatyzatory czy nagrzewnice indukcyjne, a także w urządzeniach przemysłowych, w tym kondycjonerach mocy, spawarkach i zasilaczach UPS. Dostępnych jest łącznie 21 modeli składających się na serię RGTV, która charakteryzuje się odpornością na zwarcie oraz serię RGW, która zapewnia dużą szybkość przełączania.

Ogromny wzrost zainteresowania aplikacjami Internetu Rzeczy spowodował gwałtowny wzrost ilości generowanych danych, co spowodowało potrzebę poprawy funkcjonalności i pojemności centrów danych. Ponieważ liczba serwerów i zasilaczy UPS niezbędnych do zapewnienia stabilnej pracy głównego źródła zasilania nadal rośnie, coraz trudniej jest zmniejszyć zużycie energii. Ponadto w aplikacjach o dużej mocy, które wykorzystują tranzystory IGBT, istnieje potrzeba zachowania niezawodności poprzez uproszczenie środków zapobiegających przeregulowaniu podczas przełączania, co może prowadzić do awarii lub błędu.

W odpowiedzi na rosnące zapotrzebowanie firma ROHM zastosowała swoją opatentowaną technologię struktury, aby zapewnić wiodącą w swojej klasie sprawność, która optymalizuje relację między stratą przewodzenia, a prędkością przełączania. Przykładowo, gdy nowe układy zastosowane zostaną w przeplatanym obwodzie PFC, wydajność zostanie poprawiona o 1,2% przy lekkich obciążeniach i o 0,3% pod dużym obciążeniem, przyczyniając się do mniejszego zużycia mocy całej aplikacji. Ponadto, optymalizacja projektu wewnętrznego pozwoliła firmie ROHM osiągnąć gładką charakterystykę przełączania, która zmniejsza przekroczenie napięcia o 50% w porównaniu do produktów o porównywalnej sprawności, zmniejszając liczbę wymaganych komponentów wraz z obciążeniem projektowym.