Microchip MCP655T-E/UN

Producent: Microchip Oznaczenie producenta: MCP655T-E/UN_D Oznaczenie Gamma: MCP655T-E/UN

  • Microchip MCP655T-E/UN

Opcje produktu:

Oczekiwana data dostawy: 19.03.2021

Opis produktu:

Zakres temperatury:-40 do 125
Zakres napięcia VCC:2,5 do 5,5
Max. Supply Current (mA):3000
High/Low PWM Freq:High & Low
Fan Speed Table:Tak
External Temp Input:Tak
Zintegrowany czujnik temperatury:Tak
SMBus compatible interface:Tak
Predictive fan fault detection/read/RPM:Tak
Automatyczne wyłączenie:Tak
Alarm ponadtemperaturowy:Tak

Cena jednostkowa

9.08 zł (netto)
11.17 zł (brutto)
(brutto)
(netto)
25 +
9.30 zł
7.56 zł
100 +
8.44 zł
6.86 zł
Ostatnia aktualizacja produktu: 2021-01-20 10:52:00
Rozwiązania firmy Maxlinear wspierają konwertery interfejsów dla zastosowań przemysłowych IIoT firmy UTEK

Rozwiązania firmy Maxlinear wspierają konwertery interfejsów dla zastosowań...

MaxLinear, Inc., wiodący dostawca układów scalonych częstotliwości radiowej (RF), układów analogowych, cyfrowych i mieszanych ogłosił, że mosty...

czwartek, 22 lipiec, 2021 Więcej

Transindukcyjne cewki oraz kompensacyjne induktory firmy Pulse zaprojektowane do użytku z topologią transindukcyjnego regulatora napięcia (TLVR)

Transindukcyjne cewki oraz kompensacyjne induktory firmy Pulse zaprojektowane do...

Firma Pulse stale poszerza ofertę cewek indukcyjnych używanych do zasilania procesorów, pamięci, układów FPGA i ASIC w serwerach, centrach danych i...

środa, 21 lipiec, 2021 Więcej

Transceivery Ethernet PHY LAN867x upraszczają wdrożenia Przemysłowego Internetu Rzeczy (IIoT)

Transceivery Ethernet PHY LAN867x upraszczają wdrożenia Przemysłowego Internetu...

Transceivery Ethernet PHY LAN867x firmy Microchip to wysokowydajne, niewielkie urządzenia umożliwiające połączenie ze standardowymi urządzeniami...

środa, 21 lipiec, 2021 Więcej

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w technologii SiC firmy ROHM

Nowe hybrydowe niskostratne tranzystory IGBT ze zintegrowaną diodą SBD w...

Firma ROHM opracowała hybrydowe tranzystory IGBT ze zintegrowaną 650V diodą Schottky SBD w technologii SiC, serii RGWxx65C (RGW60TS65CHR,...

wtorek, 20 lipiec, 2021 Więcej